[發(fā)明專利]氮化鎵基半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580011658.1 | 申請(qǐng)日： | 2005-03-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1943047A | 公開（公告）日： | 2007-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小早川真人;友澤秀喜;三木久幸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 半導(dǎo)體器件 | ||
【權(quán)利要求書】：
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