[發(fā)明專利]包含磁致電阻元件的半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200510054834.1 | 申請日： | 2005-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN1670859A | 公開（公告）日： | 2005-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 福住嘉晃 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | G11C11/15 | 分類號： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 岳耀鋒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 致電 元件 半導(dǎo)體 存儲 裝置 及其 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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