[發明專利]鐵電材料鋯鈦酸鉛納米薄膜結晶取向生長的晶化方法無效
| 申請號： | 200510020247.0 | 申請日： | 2005-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN1811008A | 公開（公告）日： | 2006-08-02 |
| 發明（設計）人： | 李言榮;黃文;蔣書文;朱俊;張鷹 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610054四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 材料 鋯鈦酸鉛 納米 薄膜 結晶 取向 生長 方法 | ||
【說明書】：
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