[發(fā)明專利]平板顯示器的背板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310652820.4
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN104112751A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜一俊;曺煐美;金泰映;金洸淑
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/26;H01L29/41;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;楊莘

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2013年4月18日提交于韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0043026號(hào)韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)以及權(quán)益，該申請公開的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于平板顯示器的背板以及該背板的制造方法。

背景技術(shù)

平板顯示裝置（如有機(jī)發(fā)光顯示裝置和液晶顯示裝置）制造在基板上，基板上形成有圖案，該圖案包括至少一個(gè)薄膜晶體管（TFT）、電容器以及用于互連它們以驅(qū)動(dòng)平板顯示裝置的導(dǎo)線。此處，TFT包括：有源層、源/漏電極以及通過柵極絕緣層而與有源層電絕緣的柵電極。

這種TFT的有源層可以由半導(dǎo)體材料（如非晶硅或多晶硅）形成。當(dāng)有源層由非晶硅形成時(shí)，有源層表現(xiàn)出低遷移率，并由此難以提供高速驅(qū)動(dòng)電路。另一方面，當(dāng)有源層通過使用多晶硅形成時(shí)，有源層表現(xiàn)出高遷移率，但是有源層的閾值電壓并不均勻。因此，可以向由多晶硅形成的有源層中增加獨(dú)立的補(bǔ)償電路。此外，因?yàn)橹圃焓褂玫蜏囟嗑Ч瑁↙TPS）的TFT的傳統(tǒng)方法包括昂貴操作（如激光熱處理），所以關(guān)于設(shè)備投資和管理的費(fèi)用很高，并且難以將該方法應(yīng)用到大型基板。為了解決該問題，進(jìn)行著關(guān)于使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的研究。

包含氧化物半導(dǎo)體的材料包括：例如，氧化鋅或包含氧化鋅的材料。通過使用制造基于硅的半導(dǎo)體的現(xiàn)有設(shè)備，基于氧化物的TFT的制造可以實(shí)現(xiàn)高于基于硅的半導(dǎo)體的遷移率。然而，由于環(huán)境因素（包括光、溫度）而導(dǎo)致的閾值電壓的遷移性，基于氧化物的TFT的可靠性可能不盡如人意。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供包括氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管（TFT）的、用于平板顯示其的背板，以及該背板的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于平板顯示裝置的背板，該背板包括：基板；柵電極，位于基板上；第一絕緣層，位于基板上并且用于覆蓋柵電極；半導(dǎo)體層，位于第一絕緣層上并且對應(yīng)于柵電極；以及源電極和漏電極，位于半導(dǎo)體層上并且電連接到半導(dǎo)體層的相應(yīng)部分。此處，半導(dǎo)體層包括銦、錫、鋅和鎵，并且鎵的原子濃度為大約5%至大約15%。

半導(dǎo)體層可以通過濺射，通過使用包括銦、錫和鋅的氧化物以及鎵的對象而形成。

半導(dǎo)體層可以包括銦、錫和鋅的氧化物。

背板還可以包括：第二絕緣層，位于第一絕緣層上，覆蓋半導(dǎo)體層，并且具有暴露半導(dǎo)體層的部分的第一孔和第二孔。此處，源電極和漏電極分別可以位于第二絕緣層上并且可以在第一孔和第二孔中。

背板還可以包括：第三絕緣層，位于第一絕緣層上并且用于覆蓋源電極和漏電極。此處，第三絕緣層可以具有暴露源電極或漏電極的部分的第三孔。

背板還可以包括：像素電極，位于第三絕緣層上，在第三孔中，并且電連接到源電極或漏電極；中間層，位于像素電極上并且包括有機(jī)發(fā)光層；以及相對電極，在中間層對面與像素電極相對。

背板還可以包括：第四絕緣層，位于第三絕緣層上，覆蓋像素電極的邊緣，并且具有暴露像素電極的至少一部分的開口。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于平板顯示裝置的背板的制造方法，該方法包括：第一掩模操作，在基板上形成柵電極；在基板上形成第一絕緣層以覆蓋柵電極；第二掩模操作，在第一絕緣層上形成半導(dǎo)體層以對應(yīng)于柵電極；第三掩模操作，形成具有用于暴露半導(dǎo)體層的相應(yīng)部分的第一孔和第二孔的第二絕緣層，該第二絕緣層用于覆蓋半導(dǎo)體層并且位于第一絕緣層上；以及第四掩模操作，在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極，源電極和漏電極被電耦合到半導(dǎo)體層的相應(yīng)部分。此處，半導(dǎo)體層包括銦、錫、鋅和鎵，并且鎵的原子濃度為大約5%至大約15%。

半導(dǎo)體層可以通過濺射，通過使用包括銦、錫和鋅的氧化物以及鎵的對象而形成。

半導(dǎo)體層可以包括銦、錫和鋅的氧化物。

源電極和漏電極分別可以被形成在第二絕緣層上并且位于第一孔和第二孔中。

該方法還可以包括：第五掩模操作，在第一絕緣層上形成第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋源電極和漏電極并且具有暴露源電極或漏電極的部分的第三孔。

該方法還可以包括：第六掩模操作，在第三絕緣層上并且在第三孔中形成像素電極，該像素電極被電耦合到源電極或漏電極。

該方法還可以包括：第七掩模操作，在第三絕緣層上形成第四絕緣層，第四絕緣層覆蓋像素電極的邊緣并且具有暴露像素電極的至少一部分的開口。

該方法還可以包括：在像素電極上形成中間層，該中間層包括有機(jī)發(fā)光層；以及形成相對電極，在中間層的對面與像素電極相對。