[發明專利]半導體裝置的制造方法及其制造裝置

無效

• 申請號: 200410104963.2
• 申請日: 2004-12-15
• 公開（公告）號: CN100440462C
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 庭山雅彥;米田健司;高橋一馬
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1、一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體晶片上形成第1導電型的半導體區的工序；

在所述半導體區上，形成柵電極的工序；

在所述半導體區之上，在包括柵電極之上在內的整個面上形成第1絕緣膜的工序；

從上面側通過腐蝕去掉所述第1絕緣膜，從而由所述第1絕緣膜形成覆蓋所述柵電極的側面的第1側壁的工序；以及

使用可以將多枚所述半導體晶片作為一批處理的離子注入裝置，同時向所述半導體區注入第2導電型的第1雜質離子，從而在所述半導體區中的所述柵電極的兩側，形成第1雜質擴散區的工序，

在形成所述第1雜質擴散區的工序中，分作多次進行所述第1雜質離子的注入，在每次的離子注入之際，將所述半導體晶片在其晶片面內利用晶片回轉單元回轉。

2、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第1雜質離子的注入次數是2的倍數。

3、如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在分作多次注入所述第1雜質離子之際，使所述半導體晶片每次回轉180×n°，式中，n為自然數。

4、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第1雜質離子的注入次數是4的倍數。

5、如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在分作多次注入所述第1雜質離子之際，使所述半導體晶片每次回轉90×n°，式中，n為自然數。

6、如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述第1雜質擴散區的工序中，注入所述第1雜質離子時，使所述第1雜質離子注入方向與所述半導體晶片的主面的垂線方向的夾角在0°以上，而且在10°以下。

7、如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述第1雜質擴散區的工序中，注入所述第1雜質離子時，使所述第1雜質離子注入方向垂直于所述半導體晶片的主面。

8、如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述第1絕緣膜的工序中，所述第1絕緣膜中的在所述半導體區上形成的部分的厚度，在5nm以上。

9、如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：還具有：

在形成所述第1雜質擴散區的工序后，在所述半導體區上，在包括所述柵電極及所述第1側壁之上在內的整個面上形成第2絕緣膜的工序；

從上面側通過腐蝕去掉所述第2絕緣膜，從而由所述第2絕緣膜形成覆蓋所述第1側壁的側面的第2側壁的工序；以及

通過向所述半導體區注入第2導電型的第2雜質離子，在所述半導體區中的所述柵電極的兩側部分，形成比所述第1雜質擴散區更靠外側的第2雜質擴散區的工序。

10、如權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成所述第1雜質擴散區的工序和形成所述第2絕緣膜的工序之間，還具有：通過向所述半導體區注入所述第1導電型的第3雜質離子，從而形成第3雜質擴散區，以便覆蓋所述第1雜質擴散區的下側的工序。

11、一種半導體裝置的制造裝置，其特征在于，包括：生成雜質離子的反應室；

設置在所述反應室的內部，具有分別保持半導體晶片的多個晶片保持部的晶片支承臺；以及

使所述半導體晶片在該晶片面內回轉的晶片回轉單元。

12、如權利要求11所述的半導體裝置的制造裝置，其特征在于：還具有：與所述反應室連接，一邊保持所述反應室的真空度，一邊向所述反應室的內部輸送所述半導體晶片的預備排氣室。

13、如權利要求11或12所述的半導體裝置的制造裝置，其特征在于：所述晶片回轉單元設置在所述反應室的內部。

14、如權利要求12所述的半導體裝置的制造裝置，其特征在于：所述晶片回轉單元設置在所述預備排氣室的內部。