[發明專利]低溫生長砷化鎵式半導體可飽和吸收鏡無效
| 申請號： | 200410070110.1 | 申請日： | 2004-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN1728478A | 公開（公告）日： | 2006-02-01 |
| 發明（設計）人： | 王勇剛;馬驍宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S3/098 | 分類號： | H01S3/098;G02B1/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 生長 砷化鎵式 半導體 飽和 吸收 | ||
【權利要求書】：
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