[發(fā)明專利]測量薄的SI/SIGE雙層中的晶體缺陷的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200410068370.5 | 申請日： | 2004-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN1601274A | 公開（公告）日： | 2005-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 斯蒂芬·W·拜德爾;基思·E·佛格爾;德溫得拉·K·薩達(dá)納 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號： | G01N31/00 | 分類號： | G01N31/00;G01N33/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王永剛 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 測量 si sige 雙層 中的 晶體缺陷 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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