[發明專利]第III主族金屬氮化物晶體的高溫高壓生長有效
| 申請號： | 03806906.7 | 申請日： | 2003-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN1643187A | 公開（公告）日： | 2005-07-20 |
| 發明（設計）人： | 馬克·P·德維利恩;史蒂文·W·韋布;蘇爾什·S·瓦加拉利;亞武茲·卡迪奧格盧;樸東實;陳征 | 申請（專利權）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | C30B9/00 | 分類號： | C30B9/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | iii 金屬 氮化物 晶體 高溫 高壓 生長 | ||
【說明書】：
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