[發(fā)明專利]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元的形成方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 03178608.1 | 申請(qǐng)日： | 2003-06-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1476080A | 公開(kāi)（公告）日： | 2004-02-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐在范 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/8242 | 分類號(hào)： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 單元 形成 方法 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 動(dòng)態(tài)矢量譯碼方法和動(dòng)態(tài)矢量譯碼裝置
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- 令牌、動(dòng)態(tài)口令生成方法、動(dòng)態(tài)口令認(rèn)證方法及系統(tǒng)
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- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的合并內(nèi)建自我測(cè)試方法
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- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的測(cè)試方法、測(cè)試焊盤(pán)的設(shè)計(jì)方法、存儲(chǔ)器晶圓
- 用于存取動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的計(jì)算系統(tǒng)以及相關(guān)存取方法
- 電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元
- 包括磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體裝置
- 利用支撐條的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列及其制作方法
