[發(fā)明專利]復合薄膜敏感材料、紅外探測器及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810996818.1 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN110875402B | 公開（公告）日： | 2021-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃文;李尚棟;郭俊雄;賀振北;何宇豪;龔天巡;林媛;俞濱 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 張小麗;梁鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復合 薄膜 敏感 材料 紅外探測器 制備 方法 | ||
1.復合薄膜敏感材料，其特征在于：包括二維材料層和金屬納米顆粒層；其中，金屬納米顆粒為圓錐狀，底面直徑為5～40nm、高度為3～17nm，金屬納米顆粒層為單層的金屬納米顆粒；所述復合薄膜敏感材料的制備方法，包括以下步驟：將金屬濺射到二維材料上，所述濺射的條件為：電流20～40mA，真空度38～40mbar，氬氣壓力0.02～0.8mbar，濺射距離25～30mm，濺射速度0.5～2.2nm/s，濺射時間0.5～3s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復合薄膜敏感材料，其特征在于：金屬納米顆粒層中兩兩顆粒底面中心之間的距離為3～30 nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的二維材料為二硫化鉬、摻雜的石墨烯、硒化銦或硒化鎵中的任意一種；所述的金屬為能夠產(chǎn)生局域表面等離子共振的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的金屬為金、銀或銅中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的金屬為金或銀。
6.帶有載體的復合薄膜敏感材料，其特征在于：包括權(quán)利要求1～5任一項所述的復合薄膜敏感材料和載體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶有載體的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的載體為高介電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有載體的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的高介電材料為二氧化硅、藍寶石、玻璃、HfO2、鋯鈦酸鉛壓電陶瓷或聚偏氟乙烯中的任意一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶有載體的復合薄膜敏感材料，其特征在于：所述的高介電材料為二氧化硅。
10.權(quán)利要求1～5任一項所述的復合薄膜敏感材料或權(quán)利要求6～9任一項所述的帶有載體的復合薄膜敏感材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：將金屬濺射到二維材料上或者將金屬濺射到固定在載體上的二維材料上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于：所述固定在載體上的二維材料通過機械剝離、退火工序制備得到，或者通過氣相沉積法制備得到。
12.紅外探測器，其特征在于：由權(quán)利要求1～5任一項所述的復合薄膜敏感材料或權(quán)利要求6～9任一項所述的帶有載體的復合薄膜敏感材料鍍上電極制備而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
