[發明專利]一種改性的聚噻吩類有機磁阻薄膜材料及其制備方法、應用

在審

• 申請號: 201610164579.4
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN105789443A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 谷航;趙亮
• 申請（專利權）人: 新疆金風科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/30
• 分類號: H01L51/30;H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種有機磁阻薄膜材料，其特征在于，由聚噻吩類化合物和 稠環芳烴類衍生物復合后得到。

2.根據權利要求1所述的有機磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述聚噻吩類化合物包括3-己基取代聚噻吩、3-辛基取代聚噻吩和聚(3- 丁基聚噻吩-2,5-二基)中的一種或多種；

所述稠環芳烴類衍生物包括并五苯、并五聚噻吩、6,13-二甲基并 五苯和6,13-二乙基并五苯中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的有機磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述稠環芳烴類衍生物與所述聚噻吩類化合物的質量比為(0.1～10)： (99.9～90)。

4.根據權利要求1所述的有機磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述有機磁阻薄膜的厚度為50nm～1μm；

所述有機磁阻薄膜的載流子遷移率為1×10^-4cm²/V·s～0.1cm²/V·s。

5.一種有機磁阻薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括以下 步驟：

1)將聚噻吩類化合物和稠環芳烴類衍生物在有機溶劑中混合后， 得到混合液；

2)將上述步驟得到的混合液成膜后，得到有機磁阻薄膜材料。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述有機溶 劑包括鄰-二氯苯，間-二氯苯，對-二氯苯和氯苯中的一種或多種。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述成膜的 方法包括壓制法、噴涂法、棒式涂布法或印刷法。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1) 具體為：

將稠環芳烴類衍生物溶于有機溶劑中，再加入聚噻吩類化合物混 合后，得到混合液。

9.權利要求1～4任意一項所述的有機磁阻薄膜材料或權利要求 5～8任意一項所制備的有機磁阻薄膜材料在磁敏電阻元件中的應用。

10.一種有機電子元件，具有至少三層的層結構和至少兩個觸頭， 其特征在于，

所述三層為上導電層、有機中間層和下導電層；其中，所述有機 中間層采用權利要求1～4任意一項所述的有機磁阻薄膜材料或由權利 要求5～8任意一項所述的方法所制備的有機磁阻薄膜材料。