[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02140625.1
• 申請日: 2002-07-05
• 公開（公告）號: CN1396653A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發(fā)明（設計）人: 鈴木岳洋;豐澤健司
• 申請（專利權）人: 夏普公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,王忠忠

1.一種半導體裝置，由半導體元件(1)和其上有形成于薄膜基片(4)的布線圖形(5)的布線基片(6)構成，所述半導體元件(1)與所述布線圖形(5)接合，所述半導體元件(1)與所述布線基片(6)用樹脂密封；

其特征在于：在所述薄膜基片(4)的至少一面上不形成布線圖形(5)的區(qū)域，用線膨脹系數(shù)比薄膜基片(4)小的材料形成增強膜(8)。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)用跟所述布線圖形(5)相同的材料形成。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)的厚度不大于所述布線圖形(5)的厚度。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)的厚度為所述布線圖形(5)的1/3～2/3。

5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：在所述薄膜基片(4)上形成多個相互獨立的所述增強膜(8)。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：相鄰的所述增強膜(8)的間隔比相鄰的所述布線圖形(5)的間隔寬。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)在所述薄膜基片(4)上對稱地形成。

8.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)在所述布線基片(6)的兩面形成。

9.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)為三角形、正方形或圓形。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)為三角形或正方形，相鄰的所述增強膜(8)邊對邊地布置。

11.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)遮擋α射線。

12.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)和所述布線圖形(5)分開形成。

13.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述薄膜基片(4)由聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂等絕緣材料構成。

14.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述增強膜(8)為由金屬構成的金屬膜。

15.一種在薄膜基片(4)上形成了布線圖形(5)的布線基片(6)，其特征在于：

在所述薄膜基片(4)上不形成布線圖形(5)的區(qū)域，用線膨脹系數(shù)比薄膜基片(4)小的材料形成增強膜(8)。

16.一種其上有多個布線基片(6)形成的載運帶，其特征在于：

所述布線基片(6)是在薄膜基片(4)上形成了布線圖形(5)的布線基片(6)；

在所述薄膜基片(4)上不形成布線圖形(5)的區(qū)域，用線膨脹系數(shù)比薄膜基片(4)小的材料形成增強膜(8)。