[發(fā)明專利]一種制作矽氧層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 02124711.0
• 申請日: 2002-06-21
• 公開（公告）號: CN1396637A
• 公開（公告）日: 2003-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃正杰;劉澤煒;余堂
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/285
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃志華

1.一種于一半導(dǎo)體晶片上制作一矽氧層的方法，該方法包含有下列步驟：

使用二氯矽烷(dichlorosilane，SiH₂Cl₂)以及氧化亞氮(nitrousoxide，N₂O)作為反應(yīng)氣體，進(jìn)行一高溫氧化(high?temperature?oxidation，HTO)制程，以于該半導(dǎo)體晶片表面形成該矽氧層；

其中該二氯矽烷以及該氧化亞氮之氣體流速比大于2∶1。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述二氯矽烷以及氧化亞氮之反應(yīng)摩爾(mole)數(shù)比約為1∶2。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述矽氧層系由二氧化矽(silicon?dioxide)構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法系用來減少氯化氫(hydrochloric?acid，HCl)之生成，以避免進(jìn)行該HTO制程之機(jī)臺受到酸氣侵蝕。

5.一種增加一半導(dǎo)體晶片上之一矽氧層沉積速率與均勻度的方法，該方法包含有下列步驟：

使用二氯矽烷(SiH₂Cl₂)以及氧化亞氮(N₂O)作為反應(yīng)氣體，以于該半導(dǎo)體晶片表面形成該矽氧層；

其中該二氯矽烷以及該氧化亞氮之反應(yīng)摩爾(mole)數(shù)比約為1∶2，而其氣體流速比大于2∶1。

6.如專利要求5所述的方法，其特征在于：所述矽氧層系利用一高溫氧化(HTO)制程形成。

7.如專利要求5所述的方法，其特征在于：所述方法系用來減少氯化氫(HCl)之生成，以避免進(jìn)行該HTO制程之機(jī)臺受到酸氣侵蝕。

8.如專利要求5所述的方法，其特征在于：所述矽氧層系由二氧化矽構(gòu)成。