[發明專利]硅酸鎵鑭晶體的坩堝下降法生長技術無效
| 申請號： | 02111567.2 | 申請日： | 2002-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN1389599A | 公開（公告）日： | 2003-01-08 |
| 發明（設計）人： | 周娟;徐家躍;華王祥;范世 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅酸 晶體 坩堝 下降 生長 技術 | ||
1.一種生長硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于：
(1)初始原料由3N以上的高純La2O3、Ga2O3和SiO2按以下組成(at％)配比而成：
La2O3：29-30????Ga2O3：51-49?????SiO2：19-21；
(2)混合粉料在1100～1400℃爐溫下預燒，保溫不少于12小時；
(3)將預燒后混合均勻的粉料和晶種置于經氣焊密封的貴金屬坩堝中；
(4)坩堝置于Bridgman單晶爐內，升溫熔化原料和晶種頂部，爐溫控制在1500～1650℃；
(5)生長界面溫梯控制在20～60℃/cm，坩堝下降速度≤3mm/h。
2.按權利要求1所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于所述的晶種取向為<010>、<201>、<100>、<001>或沿其它任意方向中一種。
3.按權利要求1所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于所述置于貴金屬坩堝的煅燒后混合均勻粉料成為10MPa壓力下壓成不同形狀和不同厚度的料塊。
4.按權利要求1所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于所述的貴金屬坩堝形狀或為圓柱形、長方柱形或為其它任意多邊形中一種；單晶爐內同時安放多只鉑坩堝同時生長多根不同形狀和尺寸的晶體。。
5.按權利要求1所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于籽晶與生長的晶體的直徑比不小于1∶15。
6.按權利要求4所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于單晶爐內同時安放10只不同形狀鉑坩堝。
7.按權利要求1或4或6所述的硅酸鎵鑭單晶的坩堝下降法生長技術，其特征在于所述的貴金屬坩堝或鉑坩堝，或銥坩堝，或鈀坩堝中一種；鉑坩堝是常用的一種。
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