[發明專利]半導體封裝及其制造方法

無效

• 申請號: 02108720.2
• 申請日: 2002-03-29
• 公開（公告）號: CN1385900A
• 公開（公告）日: 2002-12-18
• 發明（設計）人: 舩倉寬;細美英一;小鹽康弘;長岡哲也;永野順也;大井田充;福田昌利;黑須篤;河合薰;山方修武
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/28;H01L23/48;H01L21/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1.半導體封裝，其特征在于：

具備：

(a)封裝基材，

(b)在上述封裝基材上邊形成，在往別的裝置上安裝時使用的安裝端子，

(c)在上述封裝基材上邊形成，與上述安裝端子電連的布線層，

(d)裝載在上述封裝基材上邊，與上述布線層電連的半導體芯片，

(e)在上述布線層與模鑄樹脂層之間和在上述封裝基材與模鑄樹脂層之間形成的低彈性樹脂層，

(f)密封上述封裝基材、上述布線層、上述半導體芯片和上述低彈性樹脂層的模鑄樹脂層，

上述低彈性樹脂層的彈性模量比上述模鑄樹脂層的彈性模量低。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：上述低彈性樹脂層僅僅在上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于：上述低彈性樹脂層至少在位于上述安裝端子上邊的上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其特征在于：上述低彈性樹脂層至少在位于會發生最大應力的上述安裝端子上邊的上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于：上述布線層與上述半導體芯片之間的電連部分，用內填充樹脂層密封。

6.一種半導體封裝的制造方法，其特征在于：

(a)在封裝基材上邊形成布線層，

(b)把半導體芯片電連接到上述布線層上，

(c)在上述封裝基材和上述布線層上邊，形成彈性模量比模鑄樹脂還低的低彈性樹脂層，

(d)在上述封裝基材、上述布線層、上述半導體芯片和上述低彈性樹脂層的上邊，形成模鑄樹脂層。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝制造方法，其特征在于：上述低彈性樹脂層僅僅在上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝制造方法，其特征在于：上述低彈性樹脂層至少在位于上述安裝端子上邊的上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝制造方法，其特征在于：上述低彈性樹脂層至少在位于會發生最大應力的上述安裝端子上邊的上述布線層與上述模鑄樹脂層之間形成。

10.根據權利要求6所述的半導體封裝制造方法，其特征在于：上述布線層與上述半導體芯片之間的電連部分，用內填充樹脂層密封。