[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 02105300.6 | 申請日： | 2002-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN1367542A | 公開（公告）日： | 2002-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 菅原秀人;新田康一;佐伯亮;近藤且章;巖本昌伸 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：
通過注入電流產(chǎn)生第一發(fā)光的活性層；以及
吸收所述第一發(fā)光的一部分、產(chǎn)生中心波長比所述第一發(fā)光的長的第二發(fā)光的吸收發(fā)光部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一發(fā)光的中心波長和所述第二發(fā)光的中心波長之差，在其混合光的發(fā)光光譜不喪失單峰性的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一發(fā)光的中心波長和所述第二發(fā)光的中心波長之差，在所述第一發(fā)光光譜的半值寬度的0.9倍以下的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部通過交替層疊第一半導(dǎo)體層和其帶隙比所述第一半導(dǎo)體層寬的第二半導(dǎo)體層而構(gòu)成。
在所述第一半導(dǎo)體層中產(chǎn)生所述第二發(fā)光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部的所述第一半導(dǎo)體層的折射率n1和所述第二半導(dǎo)體層的折射率n2不同，所述吸收發(fā)光部反射所述第一發(fā)光的剩余部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一發(fā)光的中心波長為λ，所述吸收發(fā)光部的所述第一半導(dǎo)體層的膜厚為λ/4n1，所述第二半導(dǎo)體層的膜厚為λ/4n2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部的所述第一半導(dǎo)體層的折射率n1比所述第二半導(dǎo)體層的折射率n2大。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述發(fā)光部由InGaAlP構(gòu)成，所述吸收發(fā)光部中的所述第一半導(dǎo)體層由InGaAlP構(gòu)成，所述第二半導(dǎo)體層由InAlP構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部的所述第一半導(dǎo)體層由多層構(gòu)成。
10.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：
對于波長λ的光不透明的GaAs襯底；
吸收發(fā)光部，其在所述GaAs襯底上形成，由與所述GaAs襯底晶格匹配的半導(dǎo)體構(gòu)成，通過交替重疊第一層和第二層而形成，所述第一層的折射率為n1，膜厚為λ/4n1，所述第二層的折射率為n2(n2＜n1)，膜厚為λ/4n2，帶隙比所述第一層寬；
第一導(dǎo)電型包層，其在所述吸收發(fā)光部上形成，由與所述GaAs襯底晶格匹配的半導(dǎo)體構(gòu)成；
活性層，其在所述第一導(dǎo)電型包層上形成，由與所述GaAs襯底晶格匹配的半導(dǎo)體構(gòu)成，通過注入電流發(fā)射中心波長為λ的第一光，帶隙比所述吸收發(fā)光部的所述第一層寬、比所述第一導(dǎo)電型包層窄；
所述吸收發(fā)光部吸收來自所述活性層的所述第一光的一部分，從所述第一層發(fā)射比所述第一光的中心波長長的第二光；所述吸收發(fā)光部反射來自所述活性層的所述第一光的剩余部分；以及
第二導(dǎo)電型包層，其在所述活性層上形成，由與所述GaAs襯底晶格匹配的半導(dǎo)體構(gòu)成，帶隙比所述活性層大。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第一發(fā)光的中心波長和所述第二發(fā)光的中心波長之差，在其混合光的發(fā)光光譜不喪失單峰性的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，，其特征在于：所述第一發(fā)光的中心波長和所述第二發(fā)光的中心波長之差，在所述第一發(fā)光光譜的半值寬度的0.9倍以下的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部由InAlP、InGaAlP、InGaP、AlGaAs中的任一個構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述活性層由InGaAlP構(gòu)成，所述吸收發(fā)光部的所述第一層由InAlP構(gòu)成，所述吸收發(fā)光部的所述第二層由InGaAlP構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述吸收發(fā)光部的所述第一層和所述第二層層疊20對以上
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