[發明專利]半導體存儲器裝置無效
| 申請號: | 02103564.4 | 申請日: | 2002-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN1381847A | 公開(公告)日: | 2002-11-27 |
| 發明(設計)人: | 奧田正樹 | 申請(專利權)人: | 富士通株式會社 |
| 主分類號: | G11C11/401 | 分類號: | G11C11/401;G11C11/406;G11C11/4063 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 馮賡宣 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲器 裝置 | ||
1、一種能同時讀取數據和刷新數據的半導體存儲器裝置,包括:
用于接收從外部電路輸入的數據的數據輸入電路;
用于從所述數據輸入電路輸入的數據中產生奇偶校驗數據的奇偶校驗生成電路;
用于存儲從所述數據輸入電路輸入的數據和從所述奇偶校驗生成電路產生的奇偶校驗數據的存儲器;
用于刷新所述存儲器的刷新電路;
用于從所述存儲器讀取數據的讀取電路;
當所述讀取電路讀取數據時,通過從其它正常讀出的數據和相應的奇偶校驗數據恢復被所述刷新電路刷新的數據的恢復電路;
用于輸出由所述讀取電路讀取的數據和輸出由所述恢復電路恢復的數據的數據輸出電路;和
用于直接讀取和輸出存儲在所述存儲器中的奇偶校驗數據的奇偶校驗輸出電路。
2、根據權利要求1的半導體存儲器裝置,其中所述奇偶校驗輸出電路通過一個端子輸出奇偶校驗數據,該端子與所述數據輸出電路輸出數據的端子相同。
3、一種能同時讀取數據和刷新數據的半導體存儲器裝置,包括:
用于接收從外部電路輸入的數據的數據輸入電路;
用于從所述數據輸入電路輸入的數據中產生奇偶校驗數據的奇偶校驗生成電路;
用于存儲從所述數據輸入電路輸入的數據和從所述奇偶校驗電路產生的奇偶校驗數據的存儲器;
用于刷新所述存儲器的刷新電路;
用于從所述存儲器讀取數據的讀取電路;
當所述讀取電路讀取數據時,通過從其它正常讀出的數據和相應的奇偶校驗數據恢復被所述刷新電路刷新的數據的恢復電路;
用于輸出由所述讀取電路讀取的數據和輸出被所述恢復電路恢復的數據的數據輸出電路;
用于在存儲所述奇偶校驗數據的存儲器的一個區域內直接寫入從外部電路提供的所需數據的寫入電路;
4、根據權利要求3的半導體存儲器裝置,其中所述寫入電路通過一個端子輸入所需數據,該端子與所述數據輸入電路輸入數據的端子相同。
5、根據權利要求3的半導體存儲器裝置,還包括用于讀出和直接輸出存儲在所述存儲器中的所述奇偶校驗數據的奇偶校驗輸出電路。
6、一種能同時讀取數據和刷新數據的半導體存儲器裝置,包括:
用于接收從外部電路輸入的數據的數據輸入電路;
用于從所述數據輸入電路輸入的數據中產生奇偶校驗數據的奇偶校驗生成電路;
用于存儲從所述數據輸入電路輸入的數據和從所述奇偶校驗電路產生的奇偶校驗數據的存儲器;
用于刷新所述存儲器的刷新電路;
用于從所述存儲器讀取數據的讀取電路;
當所述讀取電路讀取數據時,通過從其它正常讀出的數據和相應的奇偶校驗數據恢復被所述刷新電路刷新的數據的恢復電路;
用于輸出由所述讀取電路讀取的數據和輸出被所述恢復電路恢復的數據的數據輸出電路;和
用于根據外部電路的請求來控制所述刷新電路刷新指定區域的控制電路。
7、根據權利要求6的半導體存儲器裝置,其中,所述控制電路禁止在所述存儲器中所有區域上的刷新操作,并且所述數據輸出電路基于奇偶校驗數據輸出未被恢復的數據。
8、根據權利要求6的半導體存儲器裝置,其中所述控制電路控制所述刷新電路刷新由外部電路指定的區域,并且所述數據輸出電路基于奇偶校驗數據輸出從所述被刷新和恢復的區域讀取的數據。
9、根據權利要求6的半導體存儲器裝置,還包括用于在存儲所述奇偶校驗數據的所述存儲器的一個區域中直接寫入從外部電路提供的所需數據,并且所述控制電路控制所述刷新電路刷新一個由外部電路指定的區域。
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