[發明專利]磁記錄介質,磁記錄介質的制造方法,以及磁記錄裝置

無效

• 申請號: 01803727.5
• 申請日: 2001-01-12
• 公開（公告）號: CN1395726A
• 公開（公告）日: 2003-02-05
• 發明（設計）人: 桐野文良;稻葉信幸;若林康一郎;竹內輝明;水村哲夫;日永田晴美;小沼剛;神田哲典;松沼悟;曾谷朋子
• 申請（專利權）人: 日立麥克賽爾株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/65;G11B5/738;G11B5/02;C23C14/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 范明娥,張平元

1.一種磁記錄介質，其中包括：

基板和；

用于記錄信息的磁性層和；

位于上述基板和上述磁性層之間的結晶質基層；

上述基層是通過共振吸收而產生等離子體，使產生的等離子體沖撞靶子，濺射出靶粒子，通過在上述基板和上述靶子之間施加偏電壓，把濺射出的靶粒子一邊誘導至上述基板上一邊使其堆集而形成。

2.權利要求1中所述的磁記錄介質，還包括在上述基層和上述磁性層之間的由金屬構成的控制層。

3.權利要求2中所述的磁記錄介質，其中，上述基層是由氧化鎂構成的。

4.權利要求3中所述的磁記錄介質，其中，上述控制層是至少由2層構成的，而該至少2層的控制層分別由金屬構成的，并且，上述磁性層的晶格常數和上述各控制層的晶格常數之差，愈接近上述磁性層的控制層則愈小。

5.權利要求4中所述的磁記錄介質，其中，由上述至少2層構成的控制層中，接觸上述基層的控制層是通過共振吸收來產生等離子體，使產生的等離子體沖撞靶子，濺射出靶粒子，通過在上述基板和上述靶子之間施加偏電壓，一邊把濺射出的靶粒子誘導至上述基層上一邊使其堆集而形成。

6.權利要求4中所述的磁記錄介質，其中，由上述至少2層構成的控制層，分別由Cr或Ni，或者，Cr合金或Ni合金構成。

7.權利要求6中所述的磁記錄介質，其中，上述Cr合金或Ni合金，除基本元素以外，含有選自Cr、Ti、Ta、V、Ru、W、Mo、Nb、Ni、Zr、及Al中的至少1種元素。

8.權利要求4中所述的磁記錄介質，其中，由上述至少2層構成的控制層，分別具有hcp結構、bcc結構或B2結構。

9.權利要求8中所述的磁記錄介質，其中，由上述至少2層構成的控制層分別以一定方位進行結晶定向。

10.權利要求8中所述的磁記錄介質，其中，上述基層及由上述至少2層構成的控制層的各種晶粒，在膜厚方向生長為柱狀。

11.權利要求10中所述的磁記錄介質，其特征是，在上述基層及由上述至少2層構成的控制層的基板面的垂直的面內，在各層間形成結晶晶格的連接。

12.權利要求4中所述的磁記錄介質，其特征是，上述基層及由上述至少2層構成的控制層的各層的膜厚分別在2nm以上，上述基層及由上述至少2層構成的控制層的各層的總膜厚在50nm以下。

13.權利要求4中所述的磁記錄介質，其中，上述磁性層，在由上述至少2層構成的控制層中，從與該磁性層接觸的控制層上進行外延生長。

14.權利要求13中所述的磁記錄介質，其中，在由上述至少2層構成的控制層中，接觸上述磁性層的控制層的晶格常數與該磁性層的晶格常數之差在5％以下。

15.權利要求13中所述的磁記錄介質，其中，通過上述基層及由上述至少2層構成的控制層的形成，對選自上述磁性層的密度、表面的平坦性、結晶生長的方位、經晶結構、粒徑及粒徑分布中的至少1種進行控制。

16.權利要求15中所述的磁記錄介質，其中，由上述基層控制上述磁性層中的磁性粒子的結晶定向性。

17.權利要求16中所述的磁記錄介質，其中，上述磁性粒子的結晶定向性是Co的(11.0)。

18.權利要求15中所述的磁記錄介質，其中，上述磁性層的磁性粒子的粒徑是近似圓形直徑為10nm以下，并且，磁性粒徑的分布中的標準偏差為平均粒徑的8％以下。

19.權利要求3中所述的磁記錄介質，其中，由上述氧化鎂構成的基層是光學透明的。

20.權利要求19中所述的磁記錄介質，其中，上述基層的膜厚在2nm～10nm的范圍內。

21.權利要求20中所述的磁記錄介質，其中，上述控制層是由Cr或Ni，或者，Cr合金或Ni合金構成的。

22.權利要求21中所述的磁記錄介質，其中，上述Cr合金或Ni合金，除基本元素以外，含有選自Cr、Ti、Ta、V、Ru、W、Mo、Nb、Ni、Zr、及Al中的至少1種元素。