[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01803534.5 | 申請日: | 2001-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN1394372A | 公開(公告)日: | 2003-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小磯武;藤本毅 | 申請(專利權(quán))人: | 三井化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/16 | 分類號: | H01S5/16 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,梁永 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體激光器 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器裝置,其包括:
有源層;
n型波導(dǎo)層;
p型波導(dǎo)層,
所述有源層被插入在n型和p型波導(dǎo)層之間;
n型和p型包覆層,其被構(gòu)成以便于n型和p型波導(dǎo)層的外部被插入到其中間;
第一電流阻擋層,其被構(gòu)成以便于限定一個條形電流注入?yún)^(qū)域,所述區(qū)域沿著從此發(fā)射激光裝置的前端小平面與對面的所述裝置后端小平面被連接的方向延伸;以及
第二電流阻擋層,其被構(gòu)成以便于橫切于前端小平面附近的條形電流注入?yún)^(qū)域;
其中所述第一電流阻擋層和所述第二電流阻擋層由相同層組成,并且借助于電流注入?yún)^(qū)域與第一和第二電流阻擋層區(qū)域之間等效的折射率差,構(gòu)成了折射率波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中載流子阻擋層被提供在有源層和p型波導(dǎo)層之間和/或有源層和n型波導(dǎo)層之間,并且所述載流子阻擋層具有比所述波導(dǎo)層高的能帶間隙。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第一和第二電流阻擋層被構(gòu)成在p型波導(dǎo)層和/或n型波導(dǎo)層內(nèi)部。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第一和第二電流阻擋層被構(gòu)成在p型波導(dǎo)層和/或n型波導(dǎo)層附近。
5.如權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中有源層包括InGaAs且波導(dǎo)層包括GaAs并且不含Al。
6.如權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中有源層由包括InGaAsP層的多層所組成,并且波導(dǎo)層包括GaAs并且不含Al。
7.如權(quán)利要求1至6任何之一所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第二電流阻擋層被構(gòu)成,以便于滿足下述關(guān)系:
?????????????????Γ1d注入>Γ1d未注入其中Γ1d注入是在電流注入?yún)^(qū)域的光限制因數(shù)且Γ1d未注入是在電流非注入?yún)^(qū)域的光限制因數(shù)。
8.如權(quán)利要求1至7任何之一所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第二電流阻擋層被構(gòu)成,以便于滿足下述關(guān)系:
???????????????????Γ2d注入>Γ2d小平面其中,Γ2d注入為在電流注入?yún)^(qū)域的光限制因數(shù),且Γ2d小平面為當通過束傳播方法將電流注入?yún)^(qū)域的波導(dǎo)模傳播進入電流未注入?yún)^(qū)域時,在相對于傳播模的前部小平面的有源層處的光強度率。
9.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第二電流阻擋層的位置、厚度和寬度被定義,以便于Γ2d小平面存在于包括極小值的相鄰拐點之間。
10.如權(quán)利要求3至5任何之一所述的半導(dǎo)體激光器裝置,其中第二電流阻擋層具有在2至25μm范圍內(nèi)的寬度。
11.一種半導(dǎo)體激光器裝置,其包括:
有源層;
n型波導(dǎo)層;
p型波導(dǎo)層,
所述有源層被插入在n型和p型波導(dǎo)層之間;
n型和p型包覆層,其被構(gòu)成以便于n型和p型波導(dǎo)層的外部被插入到其中間;
第一電流阻擋層,其被構(gòu)成以便于限定一個條形電流注入?yún)^(qū)域,所述區(qū)域沿著從此發(fā)射激光裝置的前端小平面與對面的所述裝置后端小平面被連接的方向延伸;以及
第二電流阻擋層,其被構(gòu)成以便于橫切于前端小平面附近的條形電流注入?yún)^(qū)域;
其中第二電流阻擋層被構(gòu)成,以便于滿足下述關(guān)系:
????????????????????Γ1d注入>Γ1d未注入其中Γ1d注入是在電流注入?yún)^(qū)域的光限制因數(shù)且Γ1d未注入是在電流非注入?yún)^(qū)域的光限制因數(shù)。
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