[發明專利]半導體器件制造工藝

無效

• 申請號: 01802598.6
• 申請日: 2001-06-28
• 公開（公告）號: CN1388985A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 前川薰;星野聰彥;杉浦正仁;F·阿勒格雷蒂
• 申請（專利權）人: 東京威力科創股份有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;H01L21/768
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳立明,梁永

1.一種半導體器件的制造方法，該方法包含步驟：

用旋涂工藝在基板上形成第一層絕緣薄膜；

對該第一層絕緣薄膜在380～500℃溫度下進行硬化工藝，持續時間為5～180秒鐘；和

用旋涂工藝在該第一層絕緣薄膜上形成第二層絕緣薄膜。

2.權利要求1中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜包含比介電系數等于或小于3.0的有機材料。

3.權利要求1中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜包含芳香族有機材料。

4.權利要求1中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜由旋涂薄膜形成，旋涂薄膜在SiNCH薄膜、SiOCH薄膜、有機SOG薄膜、HSQ薄膜等材料中選擇。

5.權利要求1中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜包含比介電系數為等于或小于3.0的有機材料。

6.權利要求1中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜包含芳香族有機材料。

7.權利要求1中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜由旋涂薄膜形成，旋涂薄膜在SiNCH薄膜、SiOCH薄膜、有機SOG薄膜、HSQ薄膜等材料中選擇。

8.權利要求1中所要求的方法，其中所述硬化工藝在380～500℃溫度下進行，持續時間為10～150秒。

9.權利要求1中所要求的方法，其中所述硬化工藝在400～470℃溫度下進行，持續時間為10～150秒。

10.權利要求1中所要求的方法，其中所進行的硬化工藝，使第一層和第二層絕緣薄膜之間形成混合層。

11.一種半導體器件的制造方法，該方法包含的步驟有：

用旋涂工藝在基板上形成第一層絕緣薄膜；

對該第一層絕緣薄膜在380～500℃溫度下進行硬化工藝，持續時間為5～180秒；

用旋涂工藝在該第一層絕緣薄膜上形成第二層絕緣薄膜；

對所述第二層絕緣薄膜制作圖形，在其上形成開口；和

刻蝕所述第一層絕緣薄膜，而且用第二層絕緣薄膜作為掩模。

12.權利要求11中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜包含比介電系數等于或小于3.0的有機材料。

13.權利要求11中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜包含芳香族有機材料。

14.權利要求11中所要求的方法，其中所述第一層絕緣薄膜由旋涂薄膜形成，旋涂薄膜在SiNCH薄膜、SiOCH薄膜、有機SOG薄膜、HSQ薄膜等材料中選擇。

15.權利要求11中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜包含比介電系數等于或小于3.0的有機材料。

16.權利要求11中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜包含芳香族有機材料。

17.權利要求11中所要求的方法，其中所述第二層絕緣薄膜由旋涂薄膜形成，旋涂薄膜在SiNCH薄膜、SiOCH薄膜、有機SOG薄膜、HSQ薄膜等材料中選擇。

18.權利要求11中所要求的方法，其中所述硬化工藝在380～500℃溫度下進行，持續時間為10～150秒。

19.權利要求11中所要求的方法，其中所述硬化工藝在400～470℃溫度下進行，持續時間為10～150秒。

20.權利要求11中所要求的方法，其中所進行的硬化工藝，使第一層和第二層絕緣薄膜之間形成混合層。