[發明專利]光信息記錄介質

無效

• 申請號: 01801688.X
• 申請日: 2001-06-12
• 公開（公告）號: CN1383551A
• 公開（公告）日: 2002-12-04
• 發明（設計）人: 大野孝志;清野賢二郎;堀江通和
• 申請（專利權）人: 三菱化學株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳立明,葉愷東

<技術領域>

本發明涉及一種高密度的可重寫光記錄介質，更具體地說是涉及一種相變型記錄介質，該介質在減低記錄信號顫動、拓寬寫入功率范圍、抗反復重寫形成的特征磨損的耐用性、及存檔穩定性等方面有很好的性能。

<技術背景>

具有可讀性和可交換性的介質隨著光盤，例如可讀寫光盤(CD-RWS)已經被廣泛傳播。具有可讀性和可互換性的介質隨著DVD光盤，例如可讀寫DVD光盤、DVD可刪寫光盤(DVD+RW)、及DVD隨機存儲器現正在流行。這些相變型光盤是價格合理的、大容量的記錄介質，在便攜性、抗氣候變化性、及抗撞擊性等方面性能優越。

相變光學記錄介質完成寫和刪除是借助于反射率的變化隨著結晶態可逆的變化。一般來說，一種結晶態被用作非記錄態或刪除態，而非晶標志形成寫入。通常，通過加熱，并在給定的時間內保持在結晶溫度附近進行加熱以使記錄層結晶，和通過加熱到高于熔點的溫度，再接著淬火使記錄層成非晶相。從加熱的溫度差可理解，結晶一般相更穩定。

硫族合金，例如鍺銻碲合金(GeSbTe)，銦銻碲合金(InSbTe)，鍺錫碲合金(GeSnTe)，銀銦銻碲合金(AgInSbTe)，經常用作記錄層。這些金屬是能重寫的材料。

特別是，眾所周知，準二元合金Sb₂Te₃和GeTe(以下簡稱為準二元合金)，以及接近Sb₇₀Te₃₀共晶成分為主要組成的合金。

這些合金在結晶態和非晶態都是穩定的，并表現出兩個態之間可相當迅速地相變。它們還有一個優點是，在反復重寫時幾乎不出現分離。因此被實際用作相變光盤的記錄層。

術語“重寫(直接重寫)”表示一種記錄模式，在其中，當信息被記錄在已記錄信息的介質上時，在記錄之前，沒有刪除已有信息，即，一種同時記錄并刪除已存信息的模式。因為相變介質通常是在重寫模式下完成記錄，“重寫”可以簡單地成為“記錄”。

在具有接近Sb₇₀Te₃₀共晶成分為主要組成的合金中，Sb含量超過Sb₇₀Te₃₀的共晶組成的合金(此后，簡稱為共晶合金系統)近來正吸引人們的注意。這種類型合金制成的記錄層形成有平滑邊界的非晶標志(標志邊界)，它能有效地抑制顫動，并表現出極高的結晶率，從而可以高速重寫。

一種相變記錄介質一般是一種所謂的高到低介質，其記錄后的反射率比記錄前低。由于通常結晶態被用作非記錄或刪除態，非晶態被用作記錄態，記錄層在非晶態的反射率低于在結晶態的反射率。一種典型的高到低的介質具有包含第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層的層結構。

在另一方面，也知道所謂的低到高介質的記錄后的反射率要高于記錄前的。這種類型記錄介質，當其記錄層是非晶態時反射率比是結晶態的高。

就從低到高介質而言，已知一種包括半透明層的層結構主要按以下順序包含金屬、有介電材料的第一保護層、記錄層、有介電材料的第二保護層和金屬反射層的層結構。一般說來，有這樣層結構的低到高介質與高到低介質相比，能減少交叉刪除現象。

已經知道在具有準二元合金系統記錄層的介質中使用低到高介質。例如，Ge₂Sb₂Te₅是典型的準二元合金系統的實例，在接近Ge₂Sb₂Te₅的一種合金用作記錄層時，以下事實被接受，即由于在非晶態區域和結晶態區域光吸收的差別刪除的不穩定性被消除，從而使高速重寫成為可能。

然而，沒有搞清楚的是：在具有一個共晶合金系統記錄層的介質中采用具有上述層結構的低到高介質。

尚沒有數據說明應用低到高介質降低交叉刪除是有效的。因為共晶合金系統記錄層基本上使高速重寫成為可能，在這方面對于低到高介質的貢獻也還不清楚。

已經觀察到應用低到高介質能導致歸檔穩定性或反復重寫性。同時，在高到低介質中也觀察到反復重寫性有些下降，只是在低到高介質中下降的程度更高。

這意味著，當用共晶合金系統記錄層時，對于低到高介質的一般常規的層結構還沒有成功地獲得良好的特性。

<發明的公開>