[發(fā)明專利]具有絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01141512.6
• 申請(qǐng)日: 2001-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN1347146A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林研也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電氣株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/70
• 分類號(hào): H01L21/70;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

通過(guò)第一絕緣膜層疊在或鍵合于導(dǎo)電支撐襯底上的導(dǎo)電半導(dǎo)體襯底；

將至少形成有所需元件的器件形成區(qū)與所述半導(dǎo)體襯底分隔的隔離溝槽；

隔離溝槽；

其中不存在所述半導(dǎo)體襯底的襯底接觸區(qū)；

第二絕緣膜，其填充上述隔離溝槽并覆蓋所述襯底接觸區(qū)的表面；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成的外部連接電極；以及

支撐襯底連接部分，其通過(guò)所述襯底接觸區(qū)中的所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜，以連接所述外部連接電極和所述支撐襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述外部連接電極形成為通過(guò)所述半導(dǎo)體襯底上的第三絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三絕緣膜與所述第二絕緣膜相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述支撐襯底連接部分包括

導(dǎo)電膜，其與所述外部連接電極連接并覆蓋所述第二絕緣膜；以及

接觸部分，其貫通所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜，到達(dá)所述襯底接觸區(qū)中的所述支撐襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電膜包含以鋁作為主要材料的金屬膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸部分由單個(gè)觸點(diǎn)形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述單個(gè)觸點(diǎn)包括：

形成在接觸孔側(cè)壁上的用于所述接觸的難熔金屬膜；并且

所述導(dǎo)電膜填充形成有所述難熔金屬膜的所述接觸孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述單個(gè)觸點(diǎn)包括：

覆蓋接觸孔側(cè)壁以用于所述接觸的附加導(dǎo)電膜；

形成在所述接觸孔側(cè)壁上的附加導(dǎo)電膜上的難熔金屬膜；以及

所述導(dǎo)電膜填充形成有所述難熔金屬膜的所述接觸孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸部分包括：

多個(gè)以陣列形式設(shè)置的接觸栓塞。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)接觸栓塞由鎢形成。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括如下步驟：

(a)在芯片上的導(dǎo)電半導(dǎo)體襯底的器件形成區(qū)中至少形成一個(gè)所需要的元件，其中在所述芯片中通過(guò)第一絕緣膜在導(dǎo)電支撐襯底上形成有所述半導(dǎo)體襯底；

(b)形成貫通所述半導(dǎo)體襯底而到達(dá)所述第一絕緣膜的溝槽；

(c)在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二絕緣膜，以填充所述溝槽和覆蓋襯底接觸區(qū)的側(cè)壁；

(d)為所述元件形成元件接觸孔以通過(guò)所述第二絕緣膜；

(e)在所述襯底接觸區(qū)形成接觸孔部分，以貫通所述第一和第二絕緣膜而到達(dá)所述支撐襯底；

(f)用第一導(dǎo)電材料填充所述元件接觸孔；

(g)用第二導(dǎo)電材料填充所述接觸孔部分；

(h)形成與所述接觸孔部分連接的導(dǎo)電膜；和

(i)形成與所述導(dǎo)電膜連接的外部連接電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述(d)形成步驟和所述(e)形成步驟同時(shí)執(zhí)行。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述(d)形成步驟包括第一曝光步驟，并且所述(e)形成步驟包括第二曝光步驟，

所述第一曝光步驟和所述第二曝光步驟是獨(dú)立地執(zhí)行的。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中除了所述第一曝光步驟和所述第二曝光步驟外，所述(d)形成步驟和所述(e)形成步驟同時(shí)執(zhí)行。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)所述的方法，其中所述(f)填充步驟和所述(g)填充步驟同時(shí)進(jìn)行。

16.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)所述的方法，其中所述(e)形成步驟包括如下步驟：

在所述襯底接觸區(qū)形成單個(gè)接觸孔。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述(g)填充步驟和所述(h)形成步驟同時(shí)進(jìn)行。

18.根據(jù)權(quán)利要求11至14任一項(xiàng)所述的方法，其中所述(e)形成步驟包括如下步驟：

在所述襯底接觸區(qū)形成以陣列形式排列的多個(gè)接觸孔。