[發明專利]利用隧道磁阻效應的半導體存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 01141215.1
• 申請日: 2001-09-28
• 公開（公告）號: CN1345091A
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發明（設計）人: 細谷啟司
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/82;G11C11/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1、一種半導體存儲器，具備：

根據電阻值的變化，存儲第1狀態或第2狀態的(多個)第1存儲器件，上述第1存儲器件分別具有一方端部和另一方端部，上述第1存儲器件互相并列配置；

分別連接到上述第1存儲器件的上述一方端部的第1布線；

與上述第1布線平行，分別連接到上述第1存儲器件的上述另一方端部的第2布線；以及

根據從上述第1布線或上述第2布線的一方通過上述第1存儲器件，向上述第1布線或上述第2布線的另一方流動電流，讀出存儲于上述第1存儲器件的上述第1或第2狀態。

2、根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征是還具備：挾持上述第1布線或上述第2布線設置于上述第1存儲器件相反側的第3布線；上述第3布線配置在第1方向，第1和第2布線配置在與上述第1方向不同的第2方向；上述第3布線與上述第1布線和第2布線電隔離；使用上述第3布線和上述第1布線或上述第2布線的一方，向上述第1存儲器件中寫入上述第1或第2的狀態。

3、根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征是上述第3布線配置在連結上述第1存儲器件與上述第1布線的連結部和上述第1存儲器件與上述第2布線的連結部的延長線上邊。

4、根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征是上述第1方向與上述第2方向相垂直。

5、根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征是還具備：挾持上述第1布線并設置于上述第1存儲器件相反側的第3布線；上述第3布線配置在第1方向，上述第1和第2布線配置在與上述第1方向不同的第2方向；上述第3布線與上述第1布線和第2布線電隔離；使用上述第3布線和上述第1布線或上述第2布線的一方，向上述第1存儲器件中寫入上述第1或第2的狀態；上述第3布線是MISFET的柵電極。

6、根據權利要求5所述的半導體存儲器，其特征是上述第3布線配置在連結上述第1存儲器件與上述第1布線的連結部和上述第1存儲器件與上述第2布線的連結部的延長線上邊。

7、根據權利要求5所述的半導體存儲器，其特征是上述第1方向與上述第2方向相垂直。

8、根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征是還具備：

挾持上述第3布線并設置于上述第1存儲器件相反側的多個第2存儲器件，上述第2存儲器件根據電阻值的變化存儲第1狀態或第2狀態，上述第2存儲器件分別具有一方端部和另一方端部，上述第2存儲器件互相并列配置；

與上述第1和第2布線平行，分別連接上述第2存儲器件的上述一方端部的第4布線，上述第4布線與上述第3布線電隔離；以及

與上述第1和第2布線平行，分別連接上述第2存儲器件的上述另一方端部的第5布線。

9、根據權利要求5所述的半導體存儲器，其特征是還具備：

挾持上述第2布線并設置于上述第1存儲器件相反側的(多個)第2存儲器件，上述第2存儲器件分別具有一方端部和另一方端部，上述第2存儲器件一方端部連接上述第2布線，上述第2存儲器件根據電阻值的變化存儲第1狀態或第2狀態，上述第2存儲器件互相并列配置；

與上述第1和第2布線平行，分別連接上述多個第2存儲器件的上述另一方端部的第4布線；以及

與上述第3布線平行，挾持上述第4布線并設置于上述第2存儲器件相反側的第5布線，上述第5布線與上述第4布線電隔離。

10、根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征是

上述第2布線的膜厚比上述第1布線的膜厚薄。

11、根據權利要求2所述的半導體存儲器，其特征是

上述第1布線的膜厚比上述第2布線的膜厚薄。

12、根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征是

上述第1存儲器件是隧道磁阻效應器件。

13、根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征是

上述第1存儲器件和上述第1與第2布線為梯子型配置。

14、根據權利要求1所述的半導體存儲器，其特征是還具備：

給上述第1布線或上述第2布線施加規定電壓的定電壓發生電路；使上述第1布線或第2布線接地的接地電路。