[發明專利]高介電系數介質與半導體構成的耐壓層有效
| 申請號： | 01139957.0 | 申請日： | 2001-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN1420569A | 公開（公告）日： | 2003-05-28 |
| 發明（設計）人： | 陳星弼 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/38 |
| 代理公司： | 隆天國際專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳紅,潘培坤 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高介電 系數 介質 半導體 構成 耐壓 | ||
【權利要求書】：
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