[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01137968.5
• 申請日: 2001-09-29
• 公開（公告）號: CN1346153A
• 公開（公告）日: 2002-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山田努;安齋勝矢
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/326;H01L31/12;G09F9/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王勇,陳景峻

1.一種半導(dǎo)體器件，在襯底上形成多個將使用線狀脈沖激光退火的半導(dǎo)體層用作溝道區(qū)域的薄膜晶體管，其特征在于，該半導(dǎo)體器件配有將來自電源線的驅(qū)動電流供給對應(yīng)的被驅(qū)動元件的至少一個元件驅(qū)動用薄膜晶體管，和根據(jù)選擇時提供的數(shù)據(jù)控制所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的開關(guān)用薄膜晶體管，并且，配置該元件驅(qū)動用薄膜晶體管，使所述線狀脈沖激光在照射區(qū)域的縱向方向上沿溝道寬度方向橫穿過所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的溝道。

2.一種半導(dǎo)體器件，在襯底上形成多個將使用脈沖激光退火的半導(dǎo)體層用作溝道區(qū)域的薄膜晶體管，其特征在于，該半導(dǎo)體器件配有將來自電源線的驅(qū)動電流供給對應(yīng)的被驅(qū)動元件的至少一個的元件驅(qū)動用薄膜晶體管，和根據(jù)選擇時提供的數(shù)據(jù)控制所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的開關(guān)用薄膜晶體管，所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管，在與所述脈沖激光的掃描方向大致平行的方向上配置其溝道的長度方向。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的溝道長度比所述脈沖激光的一次移動節(jié)距更長。

4.如權(quán)利要求1～3的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，多個所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管設(shè)置于與所述電源線對應(yīng)的所述被驅(qū)動元件之間。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個元件驅(qū)動用薄膜晶體管分別是沿所述脈沖激光的掃描方向相互偏移地配置其溝道長方向。

6.如權(quán)利要求1～5的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的溝道長方向與所述開關(guān)用薄膜晶體管的溝道長方向不一致。

7.如權(quán)利要求1～6的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述元件驅(qū)動用薄膜晶體管的溝道長方向相對于所述開關(guān)用薄膜晶體管來說沿提供所述數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線的延伸方向延伸。

8.一種半導(dǎo)體器件，在襯底上形成多個將使用脈沖激光退火的半導(dǎo)體層用作溝道區(qū)域的薄膜晶體管，其特征在于，該半導(dǎo)體器件配有將來自電源線的驅(qū)動電流供給被驅(qū)動元件的一對并聯(lián)連接的薄膜晶體管，并且相對于所述脈沖激光的掃描方向?qū)⑺霾⒙?lián)連接的一對薄膜晶體管的溝道沿其平行方向相互錯開地配置。

9.一種半導(dǎo)體器件，在襯底上形成多個將進(jìn)行脈沖激光掃描退火的半導(dǎo)體層用作溝道區(qū)域的薄膜晶體管，其特征在于，該半導(dǎo)體器件有將來自電源線的驅(qū)動電流供給被驅(qū)動元件的一對并聯(lián)連接的薄膜晶體管，并且，在所述并聯(lián)連接的一對薄膜晶體管中，將沿平行于脈沖激光掃描方向的方向的溝道間的間隔距離設(shè)定得大于脈沖激光掃描方向的移動節(jié)距。

10.如權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，將所述一對薄膜晶體管的溝道沿所述脈沖激光的掃描方向排列配置在大致同一直線上。

11.如權(quán)利要求8～10的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，將所述一對薄膜晶體管的溝道以所述電源線為界相反地配置。

12.如權(quán)利要求1～11的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述被驅(qū)動元件是有機(jī)場致發(fā)光元件，所述半導(dǎo)體器件是將該有機(jī)EL元件配置成矩陣狀的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。