[發明專利]電子發射器件、冷陰極場致發射器件和顯示器及其制造法

無效

• 申請號: 01137903.0
• 申請日: 2001-08-30
• 公開（公告）號: CN1348197A
• 公開（公告）日: 2002-05-08
• 發明（設計）人: 井上浩司;室山雅和;八不貴郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01J1/304
• 分類號: H01J1/304;H01J9/02;G09F9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 程天正,傅康

1、一種電子發射器件，它具有在一個導電層上由碳構成的錐形電子發射部分。

2、按權利要求1的電子發射器件，其特征在于，一個電子發射部分形成層形成在導電層與電子發射部分之間。

3、按權利要求1的電子發射器件，其特征在于，H/(S/π)^1/2的值是3至7，其中S是錐形電子發射部分的底表面的面積，H是它的高度。

4、一種冷陰極場致發射器件，包括：

(A)在支撐件上形成的陰極；和

(B)在陰極上形成的碳構成的錐形電子發射部分。

5、按權利要求4的冷陰極場致發射器件，其特征在于，還設有一個具有開口部分的柵極，并且電子發射部分形成在陰極的位于開口部分底部中的那個部分上。

6、按權利要求4的冷陰極場致發射器件，其特征在于，在支撐件和陰極上形成一個絕緣層，在絕緣層上形成一個柵極，在絕緣層中形成與柵極中形成的一個開口部分連通的第2開口部分，電子發射部分暴露在該第2開口部分的底部中。

7、按權利要求4的冷陰極場致發射器件，其特征在于，電子發射部分形成層形成在陰極與電子發射部分之間。

8、按權利要求7的冷陰極場致發射器件，其特征在于，還設有一個具有開口部分的柵極，電子發射部分形成層至少形成在陰極的位于開口部分底部中的那個部分的表面上，并且電子發射部分形成在電子發射部分形成層上。

9、按權利要求7的冷陰極場致發射器件，其特征在于，在支撐件和陰極上形成一個絕緣層，在絕緣層上形成一個柵極，在絕緣層中形成與柵極中形成的開口部分連通的第2開口部分，電子發射部分暴露在該第2開口部分的底部中。

10、按權利要求7的冷陰極場致發射器件，其特征在于，電子發射部分形成層用金屬薄層形成。

11、按權利要求10的冷陰極場致發射器件，其特征在于，金屬薄層用選自以下材料組中的至少一種金屬制成：Ni，Mo，Ti，Cr，Co，W，Zr，Ta，Fe，Cu，Pt，Zn，Ca，Ge，Sn，Pb，Bi，Ag，Au，In，Tl。

12、按權利要求4的冷陰極場致發射器件，其特征在于，H/(S/π)^1/2的值是3至7，其中S是錐形電子發射部分的底表面的面積，H是它的高度。

13、一種冷陰極場致發射器件的制造方法，包括以下步驟：

(b)在一個支撐件上形成一個陰極，和

(b)在陰極表面上選擇性地形成碳構成的錐形電子發射部分。

14、按權利要求13的冷陰極場致發射器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟(b)之后，在電子發射部分上形成具有開口部分的柵極。

15、按權利要求13的冷陰極場致發射器件的制造方法，其特征在于，在步驟(a)和(b)之間該方法還包括以下步驟：

在支撐件和陰極上形成絕緣層；

在絕緣層上形成具有開口部分的柵極；和

在絕緣層中形成與柵極中形成的開口部分連通的第2開口部分，

其中，在步驟(b)中，在位于第2開口部分底部中的陰極上形成碳構成的錐形電子發射部分。

16、按權利要求13的冷陰極場致發射器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟(b)之后包括以下步驟：

在支撐件和電子發射部分上形成絕緣層；

在絕緣層上形成具有開口部分的柵極；和

在絕緣層中形成與柵極中形成的開口部分連通的第2開口部分，并且電子發射部分暴露在該第2開口部分的底部中。

17、按權利要求13的冷陰極場致發射器件的制造方法，其特征在于，在給支撐件加偏壓的狀態下，在滿足等離子體密度至少是10¹⁶m^-3的條件下，根據等離子體化學汽相淀積法實施形成由碳構成的錐形電子發射部分的步驟。

18、按權利要求17的冷陰極場致發射器件的制造方法，其特征在于，等離子體CVD法選自：電感耦合等離子體CVD法、電子回旋共振等離子體CVD法、螺旋波等離子體CVD法或電容耦合等離子體CVD法。