[發(fā)明專利]磁阻存儲器裝置中避免不希望編程的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01137795.X
• 申請日: 2001-10-31
• 公開（公告）號: CN1355535A
• 公開（公告）日: 2002-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·弗賴塔格;S·拉默斯;D·戈格爾;T·雷爾
• 申請（專利權(quán)）人: 因芬尼昂技術(shù)股份公司
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15;G11C5/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄭立柱,張志醒

1.在MRAM-裝置中避免不希望編程的方法，在其中存儲單元(1；1₁，1₂，…)位于存儲單元區(qū)的字導(dǎo)線(WL)或者編程導(dǎo)線(PRL)和比特導(dǎo)線(BL)之間交叉點(diǎn)的至少一個平面上，其中將編程電流(I_WL；I_BL2)輸入屬于有選擇性的存儲單元(1₂)的字導(dǎo)線(WL1)和比特導(dǎo)線(BL2)中，這些在與有選擇性的存儲單元(1₂)相鄰的存儲單元(1₃；1₅)上至少產(chǎn)生起漏磁磁場作用的磁場，

其特征為，

將補(bǔ)償電流引導(dǎo)通過至少一個相鄰存儲單元(1₃；1₅)的字導(dǎo)線或者編程導(dǎo)線(PRL)或者比特導(dǎo)線(BL3；BL5)或者專門的導(dǎo)線(L)，補(bǔ)償電流提供與漏磁磁場作用相反的補(bǔ)償磁場。

2.按照權(quán)利要求1的方法，其特征為，

將補(bǔ)償電流輸入到各自位于有選擇性的比特導(dǎo)線(BL2)的再下一個比特導(dǎo)線(BL4)中。

3.按照權(quán)利要求2的方法，其特征為，

將補(bǔ)償電流調(diào)整得比編程電流弱。

4.按照權(quán)利要求1至3之一的方法，其特征為，

在多層系統(tǒng)中將補(bǔ)償電流輸入到多層平面的字導(dǎo)線和比特導(dǎo)線中。

5.按照權(quán)利要求1至4之一的方法，

補(bǔ)償電流的強(qiáng)度是通過自調(diào)節(jié)電路控制的。