[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及其控制濕度的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01135363.5
• 申請日: 2001-09-30
• 公開（公告）號: CN1345081A
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 讓－馬克·吉拉德;本加明·哲西克;讓·弗雷特;詹姆斯·J·F·邁克安德魯
• 申請（專利權(quán)）人: 液體空氣喬治洛德方法利用和研究有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 杜日新

1.一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，包括：

用一種或多種包括水蒸汽的工藝處理氣體來處理半導(dǎo)體襯底的處理室；

用于把水汽或者一種或多種其產(chǎn)物母體輸送到處理室的裝置；

與處理室連接的排氣管道；

用于檢測樣品區(qū)域內(nèi)的水蒸汽的吸收光譜系統(tǒng)；和

控制處理室中水蒸汽含量的控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)包括響應(yīng)來自吸收光譜測量系統(tǒng)的信號并向用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置發(fā)送控制信號的控制器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中樣品區(qū)域是在處理室的下游。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于除水蒸汽外的一種或多種工藝處理體與水蒸汽或其產(chǎn)物母體預(yù)先混合的在處理室的上游的氣體混合集氣腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中樣品區(qū)域是在處理室的下游。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中樣品區(qū)域是在氣體混合集氣腔的下游和在處理室的上游。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括在樣品區(qū)域的下游和在處理室的上游的閥門，根據(jù)來自控制器的信號控制閥門以使來自樣品區(qū)域的氣體能進(jìn)入處理室。

7.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中樣品區(qū)域是在氣體混合集氣腔的下游并且是與處理室平行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括在混合集氣腔的下游和在處理室的上游的閥門，根據(jù)來自控制器信號控制閥門以使來自混合集氣腔的氣體能進(jìn)入處理室。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置包括一種起泡器，該起泡器包括裝有液體水的容器和用于使攜帶氣體進(jìn)入水中起泡的攜帶氣體進(jìn)氣口。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中起泡器進(jìn)一步包括受來自控制器的控制信號控制的加熱器。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括在攜帶氣體進(jìn)氣口上的流量控制器，受來自控制器的控制信號控制。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置包括一條或多條與攜帶氣體管道連接的溫敏滲氣管。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中一條或多條溫敏滲氣管包括受來自控制器的控制信號控制的加熱器。

14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括在攜帶氣體管道上的流量控制器，受來自控制器的控制信號控制。

15.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置包括與氧氣源連接的氧氣管道和與氣源連接的氫氣管道。

16.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置包括與液體水源連接的液體水管道。

17.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中處理室的構(gòu)成氧化系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)或化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的部件。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中處理室構(gòu)成銅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的部件。

19.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中用于輸送水蒸汽或其產(chǎn)物母體的裝置包括為接收一種包括水蒸汽的氣體連接的第一管道、為接收稀釋氣體連接的第二管道、為使包括水蒸汽的氣體與稀釋氣體混合的連接的第一和第二管道、與處理室連接用于向處理室輸送混合氣體的第三管道、與第一管道連接的流量控制器和/或與第二管道連接的流量控制器，響應(yīng)來自控制器的控制信號的流量控制器(S)。

20.一種用于控制半導(dǎo)體處理室中的水蒸汽含量的方法，包括步驟為：

把水蒸汽或者一種或多種用于形成水蒸汽的產(chǎn)物母體輸入到處理室，在其中水蒸汽被用作工藝處理氣體；

用吸收光譜，測量樣品區(qū)域中的水蒸汽含量；和

根據(jù)吸收光譜測量，控制處理室中的水蒸汽含量。

21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中樣品區(qū)域是在處理室的下游。

22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，進(jìn)一步包括，使一種或多種除水蒸汽以外的氣體與水蒸汽或其產(chǎn)物母體在處理室的上游預(yù)先混合。