[發(fā)明專利]電子元件及制造該部件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01134365.6 | 申請日： | 2001-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN1351359A | 公開（公告）日： | 2002-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 浜谷淳一;大島序人 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01F17/04 | 分類號： | H01F17/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子元件 制造 部件 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子元件和電子元件的制造方法，特別涉及具有一種結(jié)構(gòu)的電子元件，在該電子元件的結(jié)構(gòu)中，連接到內(nèi)導體的外電極形成在鑲嵌了內(nèi)導體的鑄模體表面上，以及用于電子元件的制造方法。
背景技術(shù)
作為圖10所示的一種電子元件，存在一個表面安裝類型的電感器，在該電感器中，提供了一對外電極54a和54b，以便外電極54a和54b分別與形成在鑄摸體53的表面上的導電線圈52的端部52a和52b電連接，所以，線圈導體(內(nèi)導體)52鑲嵌在與磁粉混合并揉搓的樹脂或橡膠的磁性材料中，以至他們形成固定的形狀。直到現(xiàn)在，這種電感器都是由下述方法生產(chǎn)的。
步驟1
首先，形成鑄模體，在該鑄模體中，纏繞銅線的空心線圈被鑲嵌在與磁粉混合并揉搓的樹脂或橡膠中，以便暴露空心線圈的兩個端部。
步驟2
用酒精或中性脫脂溶劑清洗包括空心線圈(內(nèi)導體)暴露部分的鑄模體的表面，然后，使用酸性或堿性溶液對該表面進行粗糙蝕刻。
步驟3
在鑄模體浸漬在包含鈀離子的溶液之后，用還原劑將鈀離子還原，以使金屬鈀核沉積在鑄模體的表面上。
步驟4
下一步，進行化學鍍膜法鍍鎳，在鑄模體的整個表面上形成金屬膜。
步驟5
在金屬膜的必要部分用抗蝕劑涂覆之后，進行蝕刻以除去金屬膜的不必要的部分。
步驟6
下一步，除去抗蝕劑，在金屬膜上進行幾種電鍍，從而形成外部電極。
以這種方式，獲得如圖10所示的表面安裝型電感器。
然而，在由化學鍍膜法形成金屬膜的方法中，在鑄模體浸漬在包含鈀離子的溶液中之后，鑄模體上的鈀離子用還原劑還原，由于沉積金屬鈀核，而在鑄模體的表面上提供了鈀催化劑，形成在鑄模體表面上的金屬膜的黏著性受鈀核的黏著性的影響，所以，很難在鑄模體(具有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)(以后簡稱為鑄模體的表面)和內(nèi)導體的暴露表面(以后簡稱為內(nèi)導體的暴露表面)的兩個表面形成具有良好黏著性的金屬膜，因此，為了改善鑄模體表面和內(nèi)導體暴露表面的黏著性，需要嚴格控制用于化學鍍膜法條件的含有鈀離子的溶液濃度和粘性，在這種情況下，存在增加成本的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種具有外部電極的電子元件，該外部電極對鑄模體表面和內(nèi)導體暴露表面都具有良好的黏著性并具有高可靠性，以及用于電子元件的制造方法。
為獲得上述目的，本發(fā)明人已經(jīng)研究了沉積在鑄模體表面上的鈀的密度和化學鍍膜法鍍膜的黏著性之間的關(guān)系，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在使用鈀作為催化劑的化學鍍膜法中，1)當鈀整體上大密度沉積時，由化學鍍膜法形成的金屬膜和鑄模體(含有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)之間的黏著性是很好的，但金屬膜和內(nèi)導體的暴露部分之間的黏著性可能變成不足，2)相反，當?shù)兔芏瘸练e鈀時，由化學鍍膜法形成的金屬膜和內(nèi)導體(金屬)的暴露表面之間的黏著性是很好的，但金屬膜和鑄模體(含有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)之間的黏著性可能變?yōu)椴蛔悖送猓l(fā)明人已經(jīng)對沉積在由包含樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料制成的鑄模體的表面(鑄模體表面)上的鈀的密度和暴露在鑄模體的內(nèi)導體的表面上的鈀的密度之間的關(guān)系進行了試驗，以及對化學鍍膜法鍍膜的黏著性進行了試驗，上述工作使得發(fā)明人做出了本發(fā)明。
就是說，本發(fā)明的電子元件包括由鑲嵌在鑄模體內(nèi)的金屬制成的內(nèi)導體，鑄模體是把包含樹脂或橡膠作為主要成分的絕緣材料鑄成預定形狀形成的，以至至少部分內(nèi)導體暴露在鑄模體的表面上；外電極，其連接到內(nèi)導體并提供在包括在鑄模體的表面上內(nèi)導體被暴露的區(qū)域的預定區(qū)域，鈀以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度沉積在鑄模體的表面上，其中鈀沉積在形成的外電極上而不沉積在內(nèi)導體暴露的區(qū)域；鈀以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度沉積暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導體上，以及，至少構(gòu)成部分外電極的金屬膜在沉積鈀的區(qū)域中由化學鍍膜法形成。
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