[發明專利]磁致電阻存儲器模塊裝置有效
| 申請號： | 01132983.1 | 申請日： | 2001-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN1343986A | 公開（公告）日： | 2002-04-10 |
| 發明（設計）人： | T·貝姆;D·戈格爾;M·弗雷塔格;S·拉默斯 | 申請（專利權）人： | 因芬尼昂技術股份公司 |
| 主分類號： | G11C11/02 | 分類號： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 馬鐵良,張志醒 |
| 地址： | 聯邦德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 致電 存儲器 模塊 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.由數量眾多的存儲單元區(A、P)組成的MRAM模塊裝置，這些存儲單元區均由具有數量眾多的存儲單元(WML、TL、HML)的存儲陣列(A)和圍繞存儲陣列(A)邊緣的外圍電路(P)組成，其中外圍電路(P)如此圍繞存儲陣列(A)，以致在每個存儲單元區(A、P)的俯視圖中都有基本上為十字形的結構，并且存儲單元區(A、P)這樣相互嵌套，以致在各個行(1、2、3)中，存儲單元區(A、P)都彼此錯位地排列。
2.根據權利要求1所述的MRAM模塊裝置，
其特征在于，
存儲單元區(A、P)的行(例如2)的外圍電路(P)嚙合在相鄰行(如1、3)的存儲單元區(A、P)的空白角面積內。
3.根據權利要求1或2所述的MRAM模塊裝置，
其特征在于，
外圍電路(P)有一個基本上為矩形的結構。
4.根據權利要求1至3之一所述的MRAM模塊裝置，
其特征在于，
存儲陣列(A)基本上是正方形或矩形。
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