[發明專利]常溫金剛石晶體膜及其生成方法

無效

• 申請號: 01130496.0
• 申請日: 1997-11-25
• 公開（公告）號: CN1389593A
• 公開（公告）日: 2003-01-08
• 發明（設計）人: 劉鐵林;劉南林
• 申請（專利權）人: 劉鐵林
• 主分類號: C23C16/27
• 分類號: C23C16/27;C23C16/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種常溫低壓條件制備金剛石晶體膜及其生成方法其特征在于制備金剛石晶體膜的反應系統和條件。

2、根據條件1其特征是生成0.001-1um的金剛石晶體膜。

3、根據權利要求1所述其特征為以下系統構成：

1真空反應系統???????????????2高能控制系統

3含碳材料源?????????????????4電極裝置

4、根據權利要求3所述金剛石晶體膜生成方法其特征在于反應室真空＜5×10Pa。

5、根據材料要求2所述金剛石晶體膜生成方法其特征在于所需能量源為直流、高頻、微波電源。

6、根據權利要求3所述金剛石晶體膜生成方法其特征在于含碳材料源為烴類：烷烴、烯烴、炔烴。

7、根據權利要求3所述金剛石晶體膜及其生成方法其特征為多極極板間距2-10cm。

8、根據權利要求1所述金剛石膜生成方法所用基體材料包括金屬、塑料、玻璃纖維等，并由此所生產具有金剛石性能的產品。