[發明專利]半導體雙晶白色LED封裝結構無效
| 申請號： | 01129305.5 | 申請日： | 2001-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN1391291A | 公開（公告）日： | 2003-01-15 |
| 發明（設計）人： | 張修恒 | 申請（專利權）人： | 張修恒 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳專利商標事務所 | 代理人： | 王學強 |
| 地址： | 臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 雙晶 白色 led 封裝 結構 | ||
1.一種半導體雙晶白色LED封裝結構，利用二種對白光為互補的光混波產生白光；其特征為：主要包括：
(a)一封裝基座，具有至少一正極接腳，及一負極接腳，該負極接腳具有一凹室；
(b)一第一LED晶粒，具有一正極及一負極，并放置于該封裝基座的凹室內；
(c)一第二LED晶粒，其發射光波長與第一LED晶粒的發射光波長對白光為互補，具有一正極及一負極，封裝于該凹室上方，使該凹室形成一封閉空間；及
(d)復數條金屬導線，將該第一LED晶粒及該第二LED晶粒的正極連接至該封裝底座的正極接腳上。
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第一LED晶粒的負極粘接于該負極接腳的凹室。
3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒的負極以金屬導線連接至該封裝基座的負極接腳。
4.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒下方設有一支撐板。
5.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該封裝基座具有一正極接腳，使該第一LED晶粒及該第二LED晶粒的正極皆連接至該正極接腳，形成單正單負封裝結構。
6.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該封裝基座具有二正極接腳，使該第一LED晶粒及該第二LED晶粒的正極分別連接至該二正極接腳，形成雙正單負封裝結構。
7.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒的面積大于該第一LED晶粒的面積。
8.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第一LED晶粒的面積約為36～400mil2。
9.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒的面積約為400～900mil2。
10.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第一LED晶粒為黃光LED晶粒。
11.如權利要求10所述的封裝結構，其特征為：該黃光LED晶粒為InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成的黃光LED晶粒。
12.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒為藍光LED晶粒。
13.如權利要求12所述的封裝結構，其特征為：該藍光LED晶粒為InGaN磊晶在藍寶石基板上形成的藍光LED晶粒。
14.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第一LED晶粒為藍光LED晶粒。
15.如權利要求14所述的封裝結構，其特征為：該藍光LED晶粒為InGaN磊晶在藍寶石基板上形成的藍光LED晶粒。
16.如權利要求1所述的封裝結構，其特征為：該第二LED晶粒為黃光LED晶粒。
17.如權利要求16所述的封裝結構，其特征為：該黃光LED晶粒為InGaAlP磊晶于GaAs或GaP基板上形成的黃光LED晶粒。
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