[發明專利]存儲陣列的保護電路

有效

• 申請號: 01124403.8
• 申請日: 2001-07-24
• 公開（公告）號: CN1399336A
• 公開（公告）日: 2003-02-26
• 發明（設計）人: 周銘宏;陳家興;黃俊仁;劉承杰
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L27/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 任永武

1.一種保護電路，其特征在于，至少包括：

一第一二極管，以具有一第一導電性的一重摻雜質擴散至具有一第二導電性的一第一區域形成所述第一二極管；

一集成電路連接至所述第一二極管，所述集成電路傳遞一輸入信號至所述第一二極管；及

一第二二極管以背靠背方式與所述第一二極管相連接，以具有所述第二導電性的一重摻雜質擴散至具有所述第一導電性的一第二區域與所述第一區域形成所述第二二極管。

2.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述的第一二極管與所述第二二極管以串聯方式相連接。

3.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述的集成電路至少包括一存儲陣列，所述存儲陣列具有至少一字符線傳遞所述輸入信號。

4.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述的第二區域位于所述第一區域的下方。

5.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述的第二區域位于一具有所述第一導電性的一井中，所述井位于一半導體底材中。

6.如權利要求5所述的保護電路，其特征在于，所述的半導體底材為接地的。

7.如權利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述的第一導電性與所述第二導電性相反。

8.一種在具有一表面的一半導體底材中形成用以保護一存儲陣列的保護結構，其特征在于，至少包括：

具有一第一導電性的一第一深區域位于所述半導體底材中及所述表面下；

具有一第二導電性的一第二區域為所述第一深區域所包圍，并且位于所述表面下；

具有所述第一導電性的一第一擴散區域于所述第二區域中及所述表面下，其中，在所述第一擴散區域與所述第二區域之間形成一第一接合點；及

具有所述第二第一導電性的一第二擴散區域于所述表面下，所述第二擴散區域跨于所述第二區域與所述第一深區域之間，其中，在所述第二擴散區域與所述第一深區域之間形成一第二接合點。

9.如權利要求8所述的保護結構，其特征在于，所述的半導體底材為接地的。

10.如權利要求8所述的保護結構，其特征在于，所述的存儲陣列至少包括一字符線連接至所述第一擴散區域。