[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01123695.7 | 申請日： | 2001-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN1347156A | 公開（公告）日： | 2002-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 內(nèi)山潔;嶋田恭博;有田浩二;大槻達(dá)男 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲器 | ||
1、一種半導(dǎo)體存儲器，包括：柵電極隔著鐵電層形成在半導(dǎo)體襯底上的場效應(yīng)型晶體管，其中：
在上述鐵電層和上述柵電極之間形成有比上述鐵電層對漏電流的絕緣性高的第1絕緣層。
2、根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
又備有形成在上述鐵電層和上述半導(dǎo)體襯底之間、并比上述鐵電層對漏電流的絕緣性高的第2絕緣層。
3、根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述第1絕緣層至少包括含有鍶及鉭的氧化物層。
4、根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述鐵電層由鉍層狀化合物形成，上述第1絕緣層至少包括含有鍶及鉭的氧化物層。
5、根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述鐵電層由鋯鈦酸鉛形成，上述第1絕緣層至少包括含有鋯鈦酸鉛的氧化物層。
6、一種半導(dǎo)體存儲器，包括：柵電極隔著鐵電層形成在半導(dǎo)體襯底上的場效應(yīng)型晶體管，其中：
上述鐵電層被它比上述鐵電層對漏電流的絕緣性還高的絕緣層覆蓋。
7、根據(jù)權(quán)利要求第6項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述絕緣層至少包括含有鍶及鉭的氧化物層。
8、根據(jù)權(quán)利要求第6項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述鐵電層由鉍層狀化合物形成，上述絕緣層至少包括含有鍶及鉭的氧化物層。
9、根據(jù)權(quán)利要求第6項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲器，其中：
上述鐵電層由鋯鈦酸鉛形成，上述絕緣層至少包括含有鋯鈦酸鉛的氧化物層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
