[發明專利]芯片式電子元件的端子電極形成方法及其所用設備有效
| 申請號: | 01119281.X | 申請日: | 2001-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN1318865A | 公開(公告)日: | 2001-10-24 |
| 發明(設計)人: | 小野寺晃;栗本哲 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 電子元件 端子 電極 形成 方法 及其 所用 設備 | ||
1.一種芯片式電子元件的端子電極形成方法,包括:
排列步驟,用于在一個平的排列底座上排列芯片式電子元件,從而將所述芯片式電子元件定位和校準;
粘合步驟,用于使涂覆有粘合劑的第一薄膜和一個平行于所述平的排列底座的粘合頂板一起以相對方式下降,從而將已定位和校準的芯片式電子元件的端部粘附到粘合劑上;和
涂覆步驟,用于使粘附了芯片式電子元件的所述第一薄膜和一個涂覆頂板一起以相對方式下降,涂覆頂板平行于一個平的涂覆底座,涂覆底座上設有恒定厚度的導電膏層,從而將芯片式電子元件的其它端部壓到所述平的涂覆底座上。
2.根據權利要求1的芯片式電子元件的端子電極形成方法,還包括:
干燥步驟,用于干燥在所述涂覆步驟中涂覆在所述其它端部的導電膏;和
倒向步驟,用于將涂覆有粘合劑的第二薄膜定位在一個平的倒向底座上,在所述干燥步驟之后,使支承芯片式電子元件的所述第一薄膜和一個倒向頂板一起以相對方式下降,從而將芯片式電子元件的涂覆有導電膏的端部粘附到所述第二薄膜的粘合劑上,然后使所述第一薄膜及其粘合劑剝離,并且使支承芯片式電子元件的所述第二薄膜倒向。
3.根據權利要求1的芯片式電子元件的端子電極形成方法,其中,所述薄膜形成為帶的(形式),并從一個帶盤送出,且纏繞在另一個帶盤上,從而傳送由所述粘合劑支承的芯片式電子元件。
4.根據權利要求2的芯片式電子元件的端子電極形成方法,其中,所述干燥步驟是通過將遠紅外光聚集到芯片式電子元件的涂覆有導電膏的部分來執行的。
5.根據權利要求2的芯片式電子元件的端子電極形成方法,其中,所述粘合劑是一種熱發泡-剝離粘合劑,并且所述第一薄膜的加熱會使第一薄膜及其粘合劑與由第二薄膜支承的芯片式電子元件分開。
6.一種芯片式電子元件的端子電極形成設備,包括:
第一走帶機構,用于使在一個表面上涂覆有粘合劑的第一粘合帶移動;
第二走帶機構,用于使在一個表面上涂覆有粘合劑的第二粘合帶移動;
一個電子元件供給單元,用于按排列芯片式電子元件的方式,將一組芯片式電子元件的端部粘附到所述第一粘合帶的涂覆有粘合劑的表面上;
第一導電膏涂覆單元,用于通過將由所述第一粘合帶的移動所傳送的該組芯片式電子元件的其它端部壓到一個平的涂覆底座上,從而將導電膏涂覆到該組芯片式電子元件的其它端部上;
第一干燥單元,用于干燥涂覆到該組芯片式電子元件的其它端部上的導電膏;
一個轉移單元,用于將已通過所述干燥單元的該組芯片式電子元件從所述第一粘合帶轉移到第二粘合帶上,從而使該組芯片式電子元件在涂覆有導電膏的端部由第二粘合帶支承;
第二導電膏涂覆單元,用于通過將由所述第二粘合帶的移動所傳送的該組芯片式電子元件的未涂覆導電膏的端部壓到一個平的涂覆底座上,從而涂覆導電膏;
第二干燥單元,用于干燥涂覆到該組芯片式電子元件端部上的導電膏;以及
一個卸載單元,用于將該組芯片式電子元件從所述第二粘合帶上剝離下來。
7.根據權利要求6的芯片式電子元件的端子電極形成設備,其中,沿著第一粘合帶的移動路徑設置的所述電子元件供給單元、所述第一導電膏涂覆單元和所述第一干燥單元以及沿著第二粘合帶的移動路徑設置的所述第二導電膏涂覆單元和所述第二干燥單元,是處在一個大致相同的垂直面中的兩級不同的水平面中。
8.根據權利要求6的芯片式電子元件的端子電極形成設備,其中,所述第一粘合帶以涂覆粘合劑的表面向下的狀態粘附到由所述電子元件供給單元供給的一組芯片式電子元件上,并且將所述第一粘合帶下側的芯片式電子元件傳送到所述第一導電膏涂覆單元和所述第一干燥單元,而所述第二粘合帶在所述轉移單元中以涂覆粘合劑的表面向下的狀態粘附到該組芯片式電子元件,并且將所述第二粘合帶下側的芯片式電子元件傳送到所述第二導電膏涂覆單元和所述第二干燥單元。
9.根據權利要求6的芯片式電子元件的端子電極形成設備,其中,涂覆在所述第一和第二粘合帶上的粘合劑是熱發泡-剝離粘合劑,并且所述第二粘合帶的發泡溫度高于所述第一粘合帶的發泡溫度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TDK株式會社,未經TDK株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01119281.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





