[發(fā)明專利]具有墊緣強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的接線墊及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01116836.6
• 申請日: 2001-04-10
• 公開（公告）號: CN1379466A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林錫聰
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/48
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 任永武

1.一種用于半導(dǎo)體裝置封裝接線用的接線墊，其特征在于，它包括：

一層迭結(jié)構(gòu)，它包括有一上介電層、一金屬接線墊層，一中間介電層和一形成在芯片上的底層，所述中間介電層形成在所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部分形成在所述中間介電層之上，而所述上介電層形成在所述接線墊層之上；以及

一接線框架結(jié)構(gòu)，它與所述金屬接線墊層分隔而形成；

所述接線框架結(jié)構(gòu)包括形成在所述上介電層之上的至少一個框架組件，所述至少一個框架組件的一部分重迭在所述金屬接線墊的一部份之上；所述至少一個框架組件借助至少一孔填充物而連接到所述底層上。

2.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為金屬層、復(fù)晶硅層或與所述孔填充物具有良好附著性的介電層。

3.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為一復(fù)晶硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括形成于連接在所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內(nèi)部的一固定結(jié)構(gòu)(anchoringstructure)。

5.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層中的一通道結(jié)構(gòu)(via?structure)。

6.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括至少一個島形組件，它與所述接線墊層分離并且分別借助至少一個孔填充物而連接到所述底層以及所述框架組件。

7.如權(quán)利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述島形組件是沿著所述金屬接線墊層的一外部邊緣而形成，并且被形成在所述金屬接線墊層中的一開放區(qū)域所圍繞。

8.如權(quán)利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述島形組件是形成在所述金屬接線墊層的外部，并且所述金屬接線墊層包括平行延伸于所述島形組件的接線墊支柱(bond?pad?leg)。

9.如權(quán)利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述接線框架結(jié)構(gòu)包括數(shù)個島形組件及一互連的框架組件(frame?element)。

10.如權(quán)利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層的中的一通道結(jié)構(gòu)，而且所述接線墊還包括在所述通道結(jié)構(gòu)之上及所述上介電層的一鄰接區(qū)域的一上金屬層。

11.如權(quán)利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述接線框結(jié)構(gòu)包括連接于所述島形組件及所述框架組件之間或所述島形組件及所述底層之間，或上述兩者皆有的數(shù)個孔填充物。

12.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物為一鎢插塞。

13.如權(quán)利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物與所述框架組件為相同的材料。

14.一種制造使用于半導(dǎo)體裝置封裝接線用的接線墊的方法，其特征在于，它包括以下步驟：

形成一下介電層于一芯片上；

形成一底層于所述下介電層之上；

形成一中間介電層于所述底層之上，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，所述孔用于形成一金屬接線墊層的一區(qū)域；

以一孔填充物材料來填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序于所述中間介電墊層中形成所述金屬接線墊層及一組件，所述組件與所述金屬接線墊層分開并通過所述被填充的第一穿透孔而與所述底層接觸；

形成一上介電層于所述金屬接線墊層之上，其中，所述上介電層包括至少一個連接到所述組件的第二穿透孔；

填充所述至少一個第二穿透孔，并且同時或依序于所述上介電層之上形成至少一個框架組件，其中，所述框架組件包括一部份重迭在所述金屬介電層的一部份之上，且所述框架組件通過所述被填充的第二穿透孔而與所述組件連接。

15.如權(quán)利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述底層為金屬層、復(fù)晶硅層或與填充于所述第一穿透孔的材料間具有良好附著性的介電層。

16.如權(quán)利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述底層為一復(fù)晶硅層。

17.如權(quán)利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，它還包括在連接于所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內(nèi)形成一固定結(jié)構(gòu)的步驟。