[發明專利]無電鍍金屬襯層形成方法

無效

• 申請號: 01116590.1
• 申請日: 2001-04-13
• 公開（公告）號: CN1320953A
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發明（設計）人: C·J·薩姆布策蒂;S·H·博特徹;P·S·洛克;J·M·魯濱洛;徐順天
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/441
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王勇,傅康

1．一種制作半導體零件的方法，包含：

采用第一材料鍍涂介質材料中的窗口，該材料包括CoXY，其中X選自鎢、錫、及硅，而Y選自磷和硼。

2．根據權利要求1的方法，其特征是其中的鍍涂是無電鍍涂。

3．根據權利要求1的方法，其特征是其中第一材料鄰接于介質材料。

4．根據權利要求1的方法，其特征是進一步包括在鍍涂步驟之前淀積第二材料的步驟。

5．根據權利要求4的方法，其特征是其中第二材料包括選自鉭、鈦、鎢、氮化鎢、氮化鉭、氮化鈦中的一個。

6．根據權利要求1的方法，其特征是其中第一材料的厚度約為50至大約500。

7．根據權利要求6的方法，其特征是其中第一材料的厚度約為150至大約300。

8．一種制作半導體零件的方法，包含：

用第一材料鍍涂介質材料中的窗口，該材料包括NiXY，其中X選自鎢、錫、及硅，而Y選自磷及硼。

9．根據權利要求8的方法，其特征是其中的鍍涂是無電鍍涂。

10．根據權利要求8的方法，其特征是其中第一材料鄰接于介質材料。

11．根據權利要求8的方法，其特征是進一步包括在鍍涂步驟之前淀積第二材料的步驟。

12．根據權利要求11的方法，其特征是其中第二材料包括選自鉭、鈦、鎢、氮化鎢、氮化鉭、及氮化鈦中的一個。

13．根據權利要求8的方法，其特征是其中第一材料的厚度約為50至大約500。

14．根據權利要求13的方法，其特征是其中第一材料的厚度約為150至大約300。

15．一種半導體結構，包括：

具有窗口的半導體介質材料；

對窗口進行襯里的第一材料，此第一材料包含MXY，其中M選自鈷和鎳，X選自鎢、錫和硅，而Y選自磷及硼；以及

填充被襯里的介質材料的第二材料。

16．根據權利要求15的結構，其特征是其中第二材料是金屬。

17．根據權利要求16的結構，其特征是其中第二材料是銅。

18．根據權利要求15的結構，其特征是其中第一材料鄰接于介質材料，而第二材料鄰接于第一材料。

19．根據權利要求15的結構，其特征是進一步包含第三材料，該第三材料排列在介質材料與第一材料之間。

20．根據權利要求19的結構，其特征是其中第三材料鄰接于介質材料，第一材料鄰接于第三材料，而第二材料鄰接于第一材料。

21．根據權利要求19的結構，其特征是其中第三材料包含選自鉭、鈦、鎢、氮化鎢、氮化鉭、及氮化鈦中的一個。