[發明專利]在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法

有效

• 申請號: 01116106.X
• 申請日: 2001-05-09
• 公開（公告）號: CN1383931A
• 公開（公告）日: 2002-12-11
• 發明（設計）人: 胡俊民;王國柱
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: B05D5/00
• 分類號: B05D5/00;B05D5/12;B05D1/02;B05D1/36;B05D1/40;H01J31/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉朝華

1、一種在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：在含有導電材料的抗靜電涂布藥液中，加入折射率在1.8-2.7的高折射率的金屬氧化物粉末，混合均勻之后，于其中加入一定比例的溶劑加以稀釋，使該抗靜電涂布溶液中的導電材料及金屬氧化物粉末均勻混合，再將該抗靜電涂布溶液均勻地涂布在資訊顯示器的顯示面板表面上，形成電磁遮蔽及抗反射涂層。

2、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該抗靜電涂層上均勻涂布含有二氧化硅成分的溶液，形成具有低折射率的二氧化硅薄膜。

3、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該導電材料為超導電的碳黑。

4、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該導電材料為導電高分子材料。

5、如權利要求4所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該導電高分子材料是由3，4聚乙烯雙氧塞酚與聚苯乙烯磺酸鹽以1∶1克分子比率混合反應制成。

6、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物為二氧化鋯。

7、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物為氧化鋅。

8、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物為二氧化鋅。

9、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物為二氧化鈦。

10、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物為二氧化鋯、氧化鋅、二氧化鋅及二氧化鈦中至少兩種的混合物。

11、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該高折射率的金屬氧化物粉末中添加重量百分比為5-35％的分散劑。

12、如權利要求11所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該金屬氧化物粉末的添加量占該導電材料的重量百分比為5-70％。

13、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該分散劑為陰離子型的高分子分散劑。

14、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該分散劑為含有多元羧化物成分的分散劑。

15、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該分散劑為含有聚苯乙烯磺化物成分的分散劑。

16、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該抗靜電涂層的厚度在50-500nm之間。

17、如權利要求16所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該抗靜電涂層的厚度在80-120nm之間。

18、如權利要求1所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該二氧化硅薄膜的厚度在50-500nm之間。

19、如權利要求18所述的在資訊顯示器上形成電磁遮蔽及抗反射涂層的方法，其特征在于：該二氧化硅薄膜的厚度在80-120nm之間。