[發明專利]形成無鉛凸點互連的方法無效
| 申請號: | 01115321.0 | 申請日: | 2001-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN1320960A | 公開(公告)日: | 2001-11-07 |
| 發明(設計)人: | 張偉明;Z·S·卡里姆 | 申請(專利權)人: | 卓聯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 無鉛凸點 互連 方法 | ||
1.一種用于倒裝法在基片或晶片上形成焊料凸點的方法,包括步驟:提供具有多個金屬焊盤的基片或晶片;這些金屬焊盤提供與基片或晶片的電連接;通過電鍍技術鍍覆包括純錫或從錫-銅、錫-銀、錫-鉍或錫-銀-銅選擇的錫合金的焊料凸點;以及通過加熱到凸點的熔點溫度以上熔融焊料凸點,以實現再流。
2.根據權利要求1的方法,其特征在于,焊料是具有低于2wt%的銅、其余是錫的錫-銅合金。
3.根據權利要求2的方法,其特征在于,焊料是具有大約0.7wt%的銅的錫-銅合金。
4.根據權利要求1的方法,其特征在于,焊料是具有低于20wt%的銀、其余是錫的錫-銀合金。
5.根據權利要求4的方法,其特征在于,錫-銀合金具有大約3.5wt%的銀,其余是錫。
6.根據權利要求4的方法,其特征在于,錫-銀合金具有大約10wt%的銀,其余是錫。
7.根據權利要求1的方法,其特征在于,焊料是具有5-25wt%的鉍、其余是錫的錫-鉍合金。
8.根據權利要求7的方法,具有大約20wt%的鉍,其余是錫。
9.根據權利要求1的方法,其特征在于,焊料是具有低于5wt%的銀、低于2wt%的銅、其余是錫的錫-銀-銅合金。
10.根據權利要求9的方法,具有大約3.5wt%的銀。
11.根據權利要求9的方法,具有大約0.7wt%的銀。
12.根據權利要求1的方法,其特征在于,錫-銅、錫-銀、或錫-鉍合金的元素是從單一電鍍液同時共沉積為合金的。
13.根據權利要求1的方法,其特征在于,錫-銅、錫-銀、錫-鉍或錫-銀-銅合金是通過順序電鍍純元素而沉積的,加熱形成所需要的合金。
14.根據權利要求1的方法,其特征在于,錫-銀-銅合金是通過沉積錫-銅合金或元素銀中的一種或另一種,然后沉積另一種,加熱形成合金,其中錫-銅合金是通過共沉積從單一電鍍液沉積的。
15.根據權利要求1的方法,其特征在于,基片或晶片設有布圖的厚光敏材料層,以限定焊料凸點的位置,該光敏材料具有25-200μm的厚度。
16.根據權利要求1的方法,其特征在于,電鍍是用直流電進行的。
17.根據權利要求1的方法,其特征在于,電鍍是用脈沖交流電進行的。
18.根據權利要求17的方法,其特征在于,每一個脈沖包括大約+5V持續1毫秒、0V持續大約1毫秒、大約-5V持續大約1毫秒、0V持續大約1毫秒。
19.一種用于倒裝法在芯片或晶片上形成焊料凸點的方法,包括下列步驟:
a)提供具有鈍化層和多個暴露的金屬焊盤的基片或晶片;
b)將至少一個焊料浸潤金屬層加到焊盤上;
c)將在焊盤的位置具有開口的光敏層加到基片或晶片上;
d)通過電鍍技術,鍍覆包括純錫或從錫銅、錫銀、錫鉍或錫銀銅選擇的錫合金;
e)除去光敏層;和
f)熔融焊料凸點,實現再流。
20.一種根據權利要求1的方法形成的具有焊料凸點的基片或晶片。
21.一種根據權利要求19的方法形成的具有焊料凸點的基片或晶片。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





