[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01111347.2
• 申請(qǐng)日: 2001-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN1331487A
• 公開（公告）日: 2002-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橫井直樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/302
• 分類號(hào): H01L21/302;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,王忠忠

1、一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是，具有使用含有：

氫氧化物；

水溶性有機(jī)溶劑；和

以下述通式(I)或(II)表示的化合物的清洗液的半導(dǎo)體襯底的清洗工序。

HO-{(EO)x-(PO)y}z-H????..(I)

R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m??..(II)

(上式中，EO表示氧乙烯基、PO表示氧丙烯基、R表示乙醇或氨絡(luò)的除去了氫氧基中氫原子的殘基、或表示氨基酸的除去了氫原子的殘基。x，y表示滿足x/(x＋y)＝0.05～0.4的整數(shù)，z，m表示正整數(shù))。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是，上述清洗工序所用的清洗液進(jìn)而含有：具有至少一個(gè)巰基的有機(jī)化合物；具有至少兩個(gè)氫氧基的有機(jī)化合物；以及具有至少一個(gè)氫氧基和至少一個(gè)羧基的有機(jī)化合物之中至少一種有機(jī)化合物。

3、一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是，具有使用含有：

氫氧化物；以及

具有至少一個(gè)巰基的有機(jī)化合物，具有至少兩個(gè)氫氧基的有機(jī)化合物、和具有至少一個(gè)氫氧基及至少一個(gè)羧基的有機(jī)化合物之中至少一種有機(jī)化合物的清洗液的半導(dǎo)體襯底清洗工序。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是，在上述半導(dǎo)體襯底上同時(shí)露出鎢系構(gòu)件和硅系構(gòu)件的狀態(tài)下，進(jìn)行上述清洗工序。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是：

還具有：

在上述半導(dǎo)體襯底上層疊形成絕緣膜、多晶硅膜、阻擋層金屬和鎢膜的工序；

在上述鎢膜上形成第1抗蝕劑圖形的工序；

將上述第1抗蝕劑圖形作為掩模，用干式刻蝕處理上述多晶硅膜、阻擋層金屬和鎢膜而形成布線圖形的工序；以及

除去上述抗蝕劑圖形的工序，

經(jīng)過(guò)以上工序后，進(jìn)行上述清洗工序。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是：

還具有：

在上述布線圖形和上述布線圖形周邊的上述絕緣膜上形成第2抗蝕劑圖形的工序；

將上述第2抗蝕劑圖形作為掩模，向上述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入的工序；以及

除去上述抗蝕劑圖形的工序，

經(jīng)過(guò)以上工序后，進(jìn)行上述清洗工序。

7、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是：

還具有：

在上述半導(dǎo)體襯底上形成第1絕緣膜的工序；

在上述第1絕緣膜上形成層疊多晶硅膜、阻擋層金屬和鎢膜的布線圖形的工序；

在上述布線圖形上形成第2絕緣膜之后，在上述第2絕緣膜上形成第1抗蝕劑圖形的工序；

將上述第1抗蝕劑圖形作為掩模，通過(guò)干式刻蝕處理形成從上述第2絕緣膜表面到上述布線圖形的連接孔的工序；以及

除去上述抗蝕劑圖形的工序，

經(jīng)過(guò)以上工序后，進(jìn)行上述清洗工序。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是，在上述半導(dǎo)體襯底上露出至少兩種類型硅系構(gòu)件的狀態(tài)下，進(jìn)行上述清洗工序。

9、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是：

還具有：

在上述半導(dǎo)體襯底上形成第1絕緣膜的工序；

在上述第1絕緣膜上形成層疊多晶硅膜、阻擋層金屬和鎢膜的布線圖形的工序；

在上述布線圖形和上述第1絕緣膜上形成第2絕緣膜后，在上述第2絕緣膜上形成抗蝕劑圖形的工序；

將上述抗蝕劑圖形作為掩模，形成從上述第2絕緣膜表面到上述布線圖形的第1連接孔和從上述第2絕緣膜表面到上述第1絕緣膜的第2連接孔的工序；以及

除去上述抗蝕劑圖形的工序，

經(jīng)過(guò)以上工序后，進(jìn)行上述清洗工序。