[發(fā)明專利]利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 01110529.1 | 申請(qǐng)日： | 2001-04-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1379449A | 公開(kāi)（公告）日： | 2002-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊允魁;張逸明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/311 | 分類號(hào)： | H01L21/311;H01L21/316;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王學(xué)強(qiáng) |
| 地址： | 臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 離子 植入 介電層 形成 開(kāi)口 方法 | ||
1、一種利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其包括下列步驟：
提供一基底；
形成一含離子介電層于該基底上；
形成一未含離子介電層于該含離子介電層上；
形成一罩幕層于未含離子介電層上，罩幕層包括第一開(kāi)口，以暴露出部分未含離子介電層；
利用罩幕層，進(jìn)行離子植入步驟，于第一開(kāi)口下的未含離子介電層，形成離子植入?yún)^(qū)，離子植入?yún)^(qū)深度不超過(guò)該未含離子介電層的厚度；
利用罩幕層，進(jìn)行化學(xué)氣相蝕刻步驟，蝕刻該未含離子介電層的該離子植入?yún)^(qū)，形成第二開(kāi)口；以及
利用罩幕層，進(jìn)行干蝕刻步驟，蝕刻該第二開(kāi)口下的剩余的未含離子介電層和含離子介電層，以暴露出部分的基底。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中含離子介電層包括含硼的氧化層、含磷的氧化層、含硼磷的氧化層、及含離子的氧化層其中之一。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中未含離子介電層包括氧化層。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中離子植入步驟，包括植入硼、磷、砷、及半導(dǎo)體摻質(zhì)其中之一。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中化學(xué)蝕刻包括氟化氫氣相蝕刻。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中離子植入?yún)^(qū)深度至少為未含離子介電層厚度的百分之七十。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中二開(kāi)口區(qū)深度至少為該未含離子介電層厚度的百分之七十。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中罩幕層包括光阻層。
9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中包括，去罩幕層步驟于干蝕刻步驟之后。
10、一種利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：包括下列步驟：
提供一基底；
形成一未含離子介電層于該基底上；
形成一罩幕層于該未含離子介電層上，該罩幕層包括第一開(kāi)口，以暴露出部分未含離子介電層；
利用罩幕層，進(jìn)行一離子植入步驟，于第一開(kāi)口下的未含離子介電層，形成離子植入?yún)^(qū)，離子植入?yún)^(qū)深度不超過(guò)該未含離子介電層厚度；
利用該罩幕層，進(jìn)行化學(xué)氣相蝕刻步驟，蝕刻該未含離子介電層的離子植入?yún)^(qū)，形成第二開(kāi)口；以及
利用罩幕層，進(jìn)行干蝕刻步驟，蝕刻第二開(kāi)口下的剩余的未含離子介電層，以暴露出部分的該基底。
11、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中未含離子介電層包括氧化層。
12、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中離子植入步驟，包括植入硼、磷、砷、及半導(dǎo)體摻質(zhì)其中之一。
13、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中化學(xué)蝕刻包括氟化氫氣相蝕刻。
14、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中離子植入?yún)^(qū)深度至少為未含離子介電層厚度的百分之五十。
15、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中第二開(kāi)口區(qū)深度至少為該未含離子介電層厚度的百分之五十。
16、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中罩幕層包括光阻層。
17、根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用離子植入在介電層形成開(kāi)口的方法，其特征在于：其中包括，去罩幕層步驟于干蝕刻步驟之后。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
