[發明專利]高分子基熱敏阻抗元件及其制造方法

無效

• 申請號: 01109711.6
• 申請日: 2001-03-19
• 公開（公告）號: CN1375839A
• 公開（公告）日: 2002-10-23
• 發明（設計）人: 林建榮
• 申請（專利權）人: 寶電通科技股份有限公司
• 主分類號: H01C7/04
• 分類號: H01C7/04;H01C7/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 過曉東

1、一種高分子基熱敏電阻元件的制造方法，包括下述步驟：

提供一高分子基材；

對該高分子基材攙入導電粒子，使該攙有導電性粒子的高分子基材成為填充復合材料；

對該填充復合材料進行交聯；

對該交聯過的填充復合材料進行簡式剪切力加工，使該填充復合材料的應變量大于百分之一。

2、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所述高分子基材為高密度聚乙烯。

3、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所述導電粒子為高導電炭黑。

4、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之五至百分之五十。

5、如權利要求4所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之十。

6、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中對該填充復合材料進行交聯，是使用γ射線照射。

7、如權利要求6所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中對該填充復合材料進行交聯，是使用10Mrads以上的γ射線照射。

8、如權利要求7所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中對該填充復合材料進行交聯，是使用15Mrads以上的鈷六十γ射線照射。

9、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所進行的簡式剪切力加工，使該填充復合材料的應變量達到百分之五至百分之三百之間。

10、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所進行的簡式剪切力加工，使該填充復合材料的應變量達到百分之一百。

11、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所述導電粒子為鍍鎳石墨粉。

12、如權利要求11所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之六十五至百分之九十。

13、如權利要求12所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之七十五。

14、如權利要求11所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所進行的簡式剪切力加工，使所述填充復合材料的應變量達到百分之一至百分之三百之間。

15、如權利要求1所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所述導電粒子為導電炭黑。

16、如權利要求15所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之五十。

17、如權利要求16所述的高分子基熱敏電阻元件的制造方法，其中對該填充復合材料進行交聯，是使用20Mrads以上的鈷六十γ射線照射。

18、一種填充復合材料熱敏元件的制造方法，包括下述步驟：設一攙有導電粒子的復合材料；而后對該攙有導電粒子的復合材料進行交聯；再對該交聯過的復合材料進行剪切式加工，使該復合材料中的導電粒子在一方向形成不連續相。

19、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中所述復合材料為高密度聚乙烯。

20、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中所述導電粒子為高導電炭黑。

21、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中所攙入的導電粒子的重量比為百分之五至百分之五十。

22、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中對該填充復合材料進行交聯，是使用γ射線照射。

23、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中對所述填充復合材料進行交聯，是使用10Mrads以上的γ射線照射。

24、如權利要求18所述的填充復合材料熱敏元件的制造方法，其中所進行的簡式剪切力加工，使所述填充復合材料的應變量達到百分之五至百分之三百之間。