[發明專利]疊層陶瓷電容器及其制法

有效

• 申請號: 01103467.X
• 申請日: 2001-02-14
• 公開（公告）號: CN1309400A
• 公開（公告）日: 2001-08-22
• 發明（設計）人: 茶園広一;靜野壽光;岸弘志
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 魏金璽,楊麗琴

1．疊層陶瓷電容器，其特征在于，它是由多個電介質層和多個內部電極交互疊層，并形成與該多個內部電極連接的一對的外部電極構成，該電介質層由陶瓷粒子和存在于該陶瓷粒子間的晶粒間界部組成，該陶瓷粒子中含有主成分化合物和添加物元素，該添加物元素的濃度呈不均勻濃度分布。

2．根據權利要求1所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述電介質層由以鈦酸鋇為主成分化合物的燒結體所構成。

3．根據權利要求1所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述陶瓷粒子由結晶性芯部和圍繞該芯部的殼部所構成。

4．根據權利要求1所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述陶瓷粒子由固溶體所構成。

5．根據權利要求3所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，含于上述芯部的添加物元素的濃度，從該芯部的中心向上述殼部方向增高。

6．根據權利要求3所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，含于上述殼部的添加物元素的濃度從芯·殼邊界向晶粒間界部分的方向增高。

7．根據權利要求4所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，含于上述陶瓷粒子中的添加物元素的濃度從該陶瓷粒子的中心向晶粒間界部分的方向增高。

8．根據權利要求1～7任一項所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述添加物元素選自Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu和Co元素中的1種或2種以上的元素。

9．根據權利要求1～7任一項所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述添加物元素選自Ho、Sc、Y、Gd、Dy、Er、Yb、Tb、Tm和Lu元素中的1種或2種以上的稀土元素。

10．根據權利要求3所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，在上述殼部含有Mg。

11．根據權利要求4所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，上述陶瓷粒子中含有Zr。

12．根據權利要求1～7任一項所記載的疊層陶瓷電容器，其特征在于，玻璃成分將上述陶瓷粒子間的晶粒間界填補。

13．疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，該方法含有如下工序：調配陶瓷原料的原料調配工序；使用由該原料調配工序中所得陶瓷原料形成陶瓷坯片的制片工序；在該制片工序所得陶瓷坯片上印刷內部電極圖形的印刷工序；將經過該印刷工序的陶瓷坯片疊層、得到疊層體的疊層工序；將該疊層工序中所得疊層體按每個內部電極圖形切斷，得到片狀疊層體的切斷工序；將在該切斷工序中所得片狀疊層體燒成的燒成工序，上述原料調配工序具有使在上述陶瓷原料的主成分化合物中含有添加物元素的工序。

14．根據權利要求13所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，使在上述陶瓷原料主成分化合物中含有添加物元素的工序由在上述陶瓷原料主成分化合物的原料化合物中混合添加物元素的化合物并加以合成或煅燒工序組成。

15．根據權利要求13所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，上述原料調配工序具有：將該陶瓷原料主成分化合物的原料化合物煅燒，在經該煅燒所得物中混合添加物元素的化合物的工序。

16．根據權利要求15所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，在上述陶瓷原料主成分化合物中混合MgO并煅燒。

17．根據權利要求13～16任一項所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，上述添加物元素選自Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu和Co元素中的1種或2種以上的元素。

18．根據權利要求13～16任一項所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，上述添加物元素選自Ho、Sc、Y、Gd、Dy、Er、Yb、Tb、Tm和Lu元素中的1種或2種以上的稀土元素。

19．根據權利要求13所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，上述燒成工序具有：將上述片狀疊層體在非氧化性氣氛氣中燒成，隨后再在氧化性氣氛氣中燒成的再氧化工序。

20．根據權利要求13～16任一項所記載的疊層陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，上述陶瓷原料中含有玻璃成分。