[發明專利]隧道觸點及其制造方法有效
| 申請號： | 00809877.8 | 申請日： | 2000-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN1359540A | 公開（公告）日： | 2002-07-17 |
| 發明（設計）人： | R·溫特斯 | 申請（專利權）人： | 因芬尼昂技術股份公司 |
| 主分類號： | H01L29/51 | 分類號： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 張志醒 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隧道 觸點 及其 制造 方法 | ||
1.隧道觸點，具有一個第一電極(1)和一個第二電極(2)以及一個隔離腔(3)，本發明的特征在于，在位于所述第一電極(1)和第二電極(2)之間的所述隔離腔(3)內有氣體或真空。
2.如權利要求1所述的溝道觸點，其特征在于，所述第一電極(1)和第二電極(2)之間的電流至少部分地隧穿所述氣體或真空。
3.如權利要求1所述的溝道觸點，其特征在于，在所述第一電極(1)和第二電極(2)之間流動的電流全部隧穿所述氣體或真空。
4.如權利要求1至3中任何一項所述的溝道觸點，其特征在于，一個存儲器(10)的存儲器電極(11)可經所述隧道觸點充電和/或放電。
5.如權利要求4所述的溝道觸點，其特征在于，所述存儲器(10)涉及的是一種EPROM類型的存儲器，例如EAROM，EEPROM，EPROM，閃存EPROM或OTPROM。
6.如權利要求1至5中任何一項所述的溝道觸點，其特征在于，在所述第一電極(1)和隔離腔(3)之間設置一個第一附加隧道層(4)和/或在所述第二電極(2)和隔離腔(3)之間設置一個第二附加隧道層(5)。
7.如權利要求1至6中任何一項所述的溝道觸點，其特征在于，所述第一電極(1)具有一個第一區域(6)和/或所述第二電極(2)具有一個第二區域(7)，隧道電流優選穿過所述第一區域(6)或第二區域(7)傳輸。
8.隧道觸點的制造方法，具有以下步驟：
—制造一個第一電極(1)，
—制造一個第二電極(2)，
本發明的特征在于，在所述第一電極(1)和第二電極(2)之間構成一個充有氣體或抽真空的隔離腔(3)。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述隧道觸點是在一種EPROM類型的存儲器內構成的，所述存儲器例如是EAROM，EEPROM，EPROM，閃存EPROM或OTPROM。
10.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述第一電極(1)和隔離腔(3)之間設置一個第一附加隧道層(4)和/或在所述第二電極(2)和隔離腔(3)之間設置一個第二附加隧道層(5)。
11.如權利要求8至10中任何一項所述的方法，其特征在于，所述第一電極(1)具有一個第一區域(6)和/或所述第二電極(2)具有一個第二區域(7)，其構成方式是在該裝置的工作中，隧道電流優選穿過所述第一區域(6)或第二區域(7)流動。
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