[發明專利]透明熱合薄膜

有效

• 申請號: 00808670.2
• 申請日: 2000-08-29
• 公開（公告）號: CN1356939A
• 公開（公告）日: 2002-07-03
• 發明（設計）人: 石井正智;日向野正德;小杉和裕;清水美基雄
• 申請（專利權）人: 電氣化學工業株式會社
• 主分類號: B32B27/32
• 分類號: B32B27/32;B32B27/36;C09J7/02;C09J153/02;C09J123/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 沙永生

1.熱合薄膜，其特征在于它的霧度不大于30％，并且它含有由樹脂組合物制成的密封層，該樹脂組合物包括總量為50-100重量％的下列成分(a)-(c)：

(a)5-50重量％的嵌段共聚物，它由50-95重量％苯乙烯型烴和5-50重量％共軛二烯烴型烴形成，

(b)5-50重量％的乙烯/α-烯烴無規共聚物，和

(c)5-70重量％的嵌段共聚物，它由10-50重量％的苯乙烯型烴和50-90重量％的共軛二烯烴型烴形成，以及

(d)0-50重量％的耐沖擊性聚苯乙烯。

2.如權利要求1所述的熱合薄膜，其特征在于所述的密封層的厚度小于30微米。

3.如權利要求1或2所述的熱合薄膜，其特征在于它包含作為最外層的雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯層、作為第二層的聚乙烯樹脂層、作為第三層的聚烯烴型樹脂層和作為第四層的密封層。

4.如權利要求3所述的熱合薄膜，其特征在于至少對它的一側進行過抗靜電處理。

5.電子元件載帶的覆蓋帶，其特征在于它由權利要求1-4中任何一項所述的熱合薄膜制成。

6.電子元件的載包，其特征在于它由權利要求1-4中任何一項所述的的熱合薄膜制成。

7.權利要求3所述的熱合薄膜的制造方法，其特征在于它包括下列步驟：在所述的最外層雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上涂布AC試劑的步驟、擠出-涂布所述的第二層聚乙烯樹脂的步驟、和將所述的第三層聚烯烴型樹脂層和所述的第四層密封層進行共擠出-涂布的步驟。

8.權利要求3所述的熱合薄膜的制造方法，其特征在于它包括下列步驟：在所述的最外層雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上涂布AC試劑的步驟、對包含所述的第三層聚烯烴型樹脂層和所述的第四層密封層的共擠出薄膜經第二層聚乙烯樹脂進行擠出-層壓的步驟。

9.權利要求4所述的熱合薄膜的制造方法，其特征在于它包括下列步驟：在所述的最外層雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上涂布AC試劑的步驟、擠出-涂布所述的第二層聚乙烯樹脂的步驟、對所述的第三層聚烯烴型樹脂層和所述的第四層密封層進行共擠出-涂布的步驟、和對所述的雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯層表面和密封層表面中至少一個表面進行抗靜電處理的步驟。

10.權利要求4所述的熱合薄膜的制造方法，其特征在于它包括下列步驟：在所述的最外層雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上涂布AC試劑的步驟、對所述的包含第三層聚烯烴型樹脂層和第四層密封層的共擠出薄膜經第二層聚乙烯樹脂進行擠出-層壓的步驟、和對所述的雙軸取向聚對苯二甲酸乙二醇酯層表面和密封層表面中至少一個表面進行抗靜電處理的步驟。

11.如權利要求9或10所述的熱合薄膜的制造方法，其特征在于在進行所述的抗靜電處理之前，對至少一個要進行抗靜電處理的表面進行電暈放電處理。

12.如權利要求7-11中任何一項所述的制造方法，其特征在于所述的所有步驟都在同一條生產線上進行。