[發明專利]丙酸3－氨基－3－芳基酯的合成

無效

• 申請號: 00807449.6
• 申請日: 2000-03-21
• 公開（公告）號: CN1364159A
• 公開（公告）日: 2002-08-14
• 發明（設計）人: A·F·阿布德爾－馬吉德;J·H·科亨;C·A·馬亞諾夫;小F·J·維拉尼;H·M·鐘
• 申請（專利權）人: 奧索－麥克尼爾藥品公司
• 主分類號: C07D213/55
• 分類號: C07D213/55;C07C227/32;//
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 馬崇德,鐘守期

1.式I化合物或其鹽的制備方法：

其中R¹是芳基、雜芳基、取代的芳基或取代的雜芳基，R²是氫、烷基或芳烷基，

該方法包括式II化合物與式III化合物的反應其中R¹如上所述，R²’是烷基或芳烷基，

其中R⁵是氫或烷氧基，反應是在一種惰性溶劑中、減壓條件下進行的，減壓使反應溶液的沸騰溫度約在40°-65℃，所用溶劑在減壓條件下可與水共沸而除去水，形成式IV化合物，式IV化合物在鈀催化劑作用下與氫氣反應，形成式V化合物，

使式V化合物反應，生成式I化合物。

2.權利要求1所述的方法，其中式I和式III化合物的一種對映體比另一種對映體過量。

3.權利要求2所述的方法，其中式I和式III化合物的一種對映體比另一種對映體至少過量90％ee。

4.權利要求3所述的方法，其中式I和式III化合物的一種對映體比另一種對映體至少過量98％ee。

5.權利要求1所述的方法，其中R¹是芳基、雜芳基、單取代或二取代的芳基、或單取代或二取代的雜芳基，其中芳基或雜芳基的取代基分別選自鹵素、羥基、低級烷基、低級烷氧基、低級芳烷基、-NR³₂，其中R³是低級烷基；R⁴CONH，其中R⁴是苯基或低級烷基；及-OC(O)R⁶，其中R⁶是氫、烷基或芳烷基。

6.權利要求5所述的方法，其中R¹是苯基、嘧啶基、未取代或取代的吡啶基、萘基或3，5二氯苯基。

7.權利要求6所述的方法，其中R¹是2-吡啶基、3吡啶基或4-吡啶基。

8.權利要求7所述的方法，其中R¹是3-吡啶基。

9.權利要求1所述的方法，其中R²是低級烷基。

10.權利要求9所述的方法，其中R²是甲基。

11.權利要求1所述的方法，其中R¹是3-吡啶基，R²是甲基。

12.權利要求11所述的方法，其中式I和式III化合物的一種對映體比另一種對映體至少過量90％ee。

13.權利要求11所述的方法，其中該可與水共沸而除去水的惰性溶劑是二甲苯、庚烷或甲苯。

14.權利要求13所述的方法，還包括式II化合物與式III化合物在至少兩當量羧酸存在下進行反應，形成式IV化合物。

15.權利要求14所述的方法，其中所述羧酸是乙酸。

16.權利要求15所述的方法，還包括用一種堿水溶液洗滌式IV化合物，以除去過量的酸。

17.權利要求15所述的方法，其中鈀催化劑的用量是在20％氫氧化鈀/碳中的至少10％重量。

18.權利要求1所述的方法，還包括把式V化合物分離成所需的非對映體。

19.權利要求15所述的方法，還包括把式V化合物分離成所需的非對映體。

20.權利要求15所述的方法，還包括式V化合物在甲酸中，在氫化硅烷存在下進行反應，形成式I化合物。

21.式IV化合物

其中R¹是芳基、雜芳基、取代的芳基或取代的雜芳基；R²’是烷基或芳烷基；R⁵是氫或羥基；或其鹽。

22.式V化合物其中R¹是芳基、雜芳基、取代的芳基或取代的雜芳基；R²’是烷基或芳烷基；R⁵是氫或羥基；或其鹽。

23.式I化合物或其鹽的制備方法

其中R¹是芳基、雜芳基、取代的芳基或取代的雜芳基，R²是氫、烷基或芳烷基，

包括在鈀催化劑存在下，式IV化合物與氫氣反應，形成式V化合物，其中R¹如上所述，R²’是烷基或芳烷基，R⁵是氫或烷氧基，以及，使式V化合物反應形成式I化合物。