[發明專利]半導體裝置、電力電路及半導體裝置的制作方法

有效

• 申請號: 201010293477.5
• 申請日: 2010-09-19
• 公開（公告）號: CN102034869A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 山崎舜平;高橋圭;伊藤良明
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/12;H01L29/04;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

技術領域

所公開的發明的技術領域涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術

金屬氧化物的種類繁多且用途廣。氧化銦作為較普遍的材料被用于液晶顯示器等所需要的透明電極材料。

在金屬氧化物中存在呈現半導體特性的金屬氧化物。作為呈現半導體特性的金屬氧化物，例如可以舉出氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等，并且已知一種將這種呈現半導體特性的金屬氧化物用作溝道形成區的薄膜晶體管(例如，參照專利文獻1至專利文獻4及非專利文獻1等)。

另外，已知金屬氧化物不僅有一元氧化物還有多元氧化物。例如，作為包含In、Ga及Zn的多元氧化物半導體，包含同源相(homologousphase)的InGaO₃(ZnO)_m(m：自然數)是眾所周知的(例如，參照非專利文獻2至4)。

并且，已經確認可以將上述那樣的由In-Ga-Zn類氧化物構成的氧化物半導體用作薄膜晶體管的溝道形成區(例如，參照專利文獻5、非專利文獻5及非專利文獻6等)。

[專利文獻1]日本專利申請公開昭60-198861號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開平8-264794號公報

[專利文獻3]日本PCT國際申請翻譯平11-505377號公報

[專利文獻4]日本專利申請公開2000-150900號公報

[專利文獻5]日本專利申請公開2004-103957號公報

[非專利文獻1]M.W.Prins，K.O.Grosse-Holz，G.Muller，J.F.M.Cillessen，J.B.Giesbers，R.P.Weening，and?R.M.Wolf，″A?ferroelectric?transparent?thin-film?transistor″(透明鐵電薄膜晶體管)，Appl.Phys.Lett.，17June?1996，Vol.68p.3650-3652

[非專利文獻2]M.Nakamura，N.Kimizuka，and?T.Mohri，″ThePhase?Relations?in?the?In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO?System?at?1350℃″(In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO類在1350℃時的相位關系)，J.Solid?State?Chem.，1991，Vol.93，p.298-315

[非專利文獻3]N.Kimizuka，M.Isobe，and?M.Nakamura，″Syntheses?and?Single-Crystal?Data?of?Homologous?Compounds，In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and?5)，InGaO₃(ZnO)₃，and?Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and?16)in?the?In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO?System″(同系物的合成和單晶數據，In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO類的In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and?5)，InGaO₃(ZnO)₃，and?Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and?16))，J.Solid?State?Chem.，1995，Vol.116，p.17O-178

[非專利文獻4]中村真佐樹、君塚昇、毛利尚彥、磯部光正，″ホモロガス相、InFeO₃(ZnO)_m(m：自然數)とその同型化合物の合成および結晶構造″(同系物、銦鐵鋅氧化物(InFeO₃(ZnO)_m)(m為自然數)及其同型化合物的合成以及晶體結構)，固體物理(SOLID?STATEPHYSICS)，1993，Vol.28，No.5，p.317-327