[發明專利]非易失存儲器

有效

• 申請號: 00805606.4
• 申請日: 2000-02-25
• 公開（公告）號: CN1345466A
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發明（設計）人: D·K·劉;王鼎華
• 申請（專利權）人: 硅芯片公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/336;H01L29/788
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 羅朋,梁永

1.一種制作存儲器單元的方法，它包含：

制作彼此分隔開的第一柵和第二柵；

用所述第一和第二柵作為注入掩模；以及

在所述柵之間形成注入區而不明顯地降低襯底熱電子效率。

2.權利要求1的方法，還包括采用砷作為注入劑物質。

3.權利要求1的方法，包括采用小于每平方厘米2×10¹²個原子的注入劑量。

4.權利要求1的方法，包括剪裁所述注入劑，以便得到約為0.5V的閾值電壓。

5.權利要求1的方法，包括采用約為30Kev的注入能量。

6.權利要求5的方法，包括將襯底熱電子饋送到所述讀出晶體管，用來對所述單元進行編程。

7.權利要求6的方法，包括使所述襯底電子注入到所述第二柵上。

8.權利要求7的方法，包括使所述襯底電子從所述第一柵下方的第一層移動，以便注入到所述第二柵上。

9.權利要求8的方法，包括產生所述第二柵下方的耗盡區。

10.權利要求1的方法，還包括提供電子源，用來垂直注入到所述單元中。

11.一種存儲器單元，它包含：

具有柵的選擇晶體管；

具有浮柵的讀出晶體管；以及

用所述浮柵和所述選擇晶體管柵作為掩模制作在所述晶體管之間的注入區。

12.權利要求11的存儲器單元，其中所述讀出晶體管是快速存儲器。

13.權利要求12的存儲器單元，其中所述快速存儲器可以用襯底熱載流子注入方法編程。

14.權利要求13的存儲器單元，其中所述區域用劑量小于每平方厘米2×10¹²個原子的物質注入。

15.權利要求14的存儲器單元，其中所述注入區由砷組成。

16.權利要求14的存儲器單元，其中所述注入區是閾值電壓約為0.5V的晶體管的溝道。

17.權利要求16的存儲器單元，包括與所述讀出晶體管橫向分隔開的襯底電子源。

18.權利要求11的存儲器單元，包括用來供應電子，以便利用電子在所述浮柵上的襯底熱電子注入而對所述浮柵進行編程的雙極晶體管，所述雙極晶體管排列成其收集極也是所述讀出晶體管溝道下方的被偏置的耗盡區。

19.權利要求17的存儲器單元，其中所述選擇晶體管包括源，且此源使所述選擇晶體管成為所述雙極晶體管的發射極。

20.權利要求11的存儲器單元，其中所述讀出晶體管包括延伸在所述選擇晶體管上的所述柵以及所述讀出晶體管的浮柵上的控制柵。

21.權利要求18的存儲器單元，其中所述控制柵構成鄰近于所述讀出晶體管的電容器。

22.權利要求11的存儲器單元，其中用載流子的垂直注入來對所述讀出晶體管的柵進行編程。