[發明專利]不滿填充受控折疊芯片連接(C4)集成電路封裝的生產流水線

無效

• 申請號: 00804565.8
• 申請日: 2000-02-08
• 公開（公告）號: CN1344424A
• 公開（公告）日: 2002-04-10
• 發明（設計）人: D·庫克;S·拉馬林加姆
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/18;H01L23/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄭立柱,梁永

1.一種不滿填充安裝在基底上的集成電路的生產流水線，包括：

第一發放站，可以將第一不滿填充材料發放到基底上；以及

一個加熱第一不滿填充材料的烘箱，該烘箱在第一不滿填充材料在集成電路和基底之間流動時移動該基底。

2.如權利要求1所述的生產流水線，還包括將第二不滿填充材料發放到基底上的第二發放站。

3.如權利要求1所述的生產流水線，其中第二不滿填充材料密封第一不滿填充材料。

4.如權利要求1所述的生產流水線，其中第一不滿填充材料是環氧的。

5.如權利要求4所述的生產流水線，其中第二不滿填充材料是酸酐環氧。

6.如權利要求1所述的生產流水線，其中烘箱將第一不滿填充材料加熱到部分膠凝狀態。

7.一種不滿填充安裝到基底上的集成電路的方法，包括：

將第一不滿填充材料發放到基底上；以及

加熱第一不滿填充材料，同時移動基底穿過烘箱。

8.如權利要求7所述的方法，其中第一不滿填充材料在集成電路和基底之間流動。

9.如權利要求8所述的方法，還包括環繞第一不滿填充材料發放第二不滿填充材料的步驟。

10.如權利要求7所述的方法，還包括在發放第一不滿填充材料之前加熱基底的步驟。

11.如權利要求10所述的方法，其中加熱基底的溫度要高于第一不滿填充材料移過烘箱的溫度。

12.如權利要求7所述的方法，還包括使用焊接突起將集成電路安裝到基底上的步驟。

13.如權利要求12所述的方法，還包括將焊接球加在基底上的步驟。

14.一個不滿填充安裝在基底上的集成電路的方法，包括：

將第一不滿填充材料發放到基底上；以及

在第一不滿填充材料在集成電路和基底之間流動期間移動基底。

15.如權利要求14所述的方法，還包括環繞第一不滿填充材料發放第二不滿填充材料的步驟。

16.如權利要求14所述的方法，還包括在第一不滿填充材料發放之前加熱基底的步驟。

17.如權利要求14所述的方法，還包括使用焊接突起將集成電路安裝在基底上的步驟。

18.如權利要求17所述的方法，還包括將焊接球附到基底上的步驟。