[發明專利]薄膜晶體管、液晶面板和它們的制造方法

無效

• 申請號: 00800291.6
• 申請日: 2000-03-09
• 公開（公告）號: CN1296643A
• 公開（公告）日: 2001-05-23
• 發明（設計）人: 竹橋信逸;生田茂雄;河北哲郎;井上真弓;倉增敬三郎
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種具備具有在基板上邊形成的源極區域、漏極區域柵極區域的半導體層、柵極絕緣膜、源極電極、漏極電極、在柵極絕緣膜上邊形成的柵極電極的半導體器件，其特征是：

上述柵極電極，

是用由硅化物薄膜和金屬薄膜構成的上下2層構成，此外，一方的薄膜形成為向另一方薄膜的源極電極一側和漏極電極一側的至少一方多少突出出來的LDD形成掩模兼用柵極電極，

上述半導體層，

由于以上述LDD形成掩模兼用柵極電極為注入掩模注入雜質離子，故具有在上述硅化物膜和上述金屬薄膜的位置和雜質離子的注入方向決定的柵極電極位置對應區域上形成的LDD區域。

2．一種具備具有在基板上邊形成的源極區域、漏極區域柵極區域的半導體層、柵極絕緣膜、源極電極、漏極電極、在柵極絕緣膜上邊形成的柵極電極的半導體器件，其特征是：

上述柵極電極，

是上下的硅化物薄膜構成，此外，一方的薄膜形成為向另一方薄膜的源極電極一側和漏極電極一側的至少一方稍微突出出來的LDD形成掩模兼用柵極電極，

上述半導體層，

由于以上述LDD形成掩模兼用柵極電極為注入掩模注入雜質離子，故具有在上述硅化物膜和上述金屬薄膜的位置和雜質離子的注入方向決定的柵極電極位置對應區域上形成的LDD區域。

3．一種具備具有在基板上邊形成的源極區域、漏極區域柵極區域的半導體層、柵極絕緣膜、源極電極、漏極電極、在柵極絕緣膜上邊形成的柵極電極的半導體器件，其特征是：

上述柵極電極，

是至少具有硅化物薄膜、金屬薄膜和硅薄膜的多層構成，此外，作為雜質注入時的掩模，中央部分最厚、兩端部分最薄，其中間部分，中間的厚度或從兩側向著中央一側慢慢地變厚的多臺階LDD形成掩模兼用柵極電極，

上述半導體層，

由于以上述多臺階LDD形成掩模兼用柵極電極為注入掩模從上方注入雜質離子，故具有在上述掩模厚度和雜質離子的注入方向決定的位置形成的多臺階LDD區域。

4．一種具備具有在基板上邊形成的源極區域、漏極區域柵極區域的半導體層、柵極絕緣膜、源極電極、漏極電極、在柵極絕緣膜上邊形成的柵極電極的半導體器件，其特征是：

上述柵極電極，

具有由高熔點金屬構成的層，

由硅化物薄膜構成的層，

由被上述高熔點金屬薄膜層和上述硅化物薄膜層圍起來的鋁薄膜構成的層，此外，作為掩模厚度，是中央部分最厚、兩端部分最薄的LDD掩模兼用含有中間鋁層柵極電極，

上述半導體層，

由于以上述LDD形成掩模兼用含有中間鋁層柵極電極為注入掩模從上方注入雜質離子，故是具有在由上述掩模厚度和雜質注入方向決定的位置上形成的單個臺階或多個臺階的LDD區域的LDD半導體器件。

5．權利要求1、2、3或4所述的半導體器件，其特征是：

上述硅化物薄膜，

是由下述硅化物群中選擇出來的特定材料硅化物薄膜，這些硅化物群是：鈦硅化物、鈷硅化物、鎳硅化物、鋯硅化物、鉬硅化物、鈀硅化物和鉑硅化物。

6．權利要求5所述的半導體器件，其特征是：上述至少1個金屬薄膜或高熔點金屬薄膜，其構成金屬是與構成上述硅化物的金屬元素相同的同一材料金屬薄膜。

7．權利要求1、2、3或4所述的半導體器件，其特征是：上述半導體器件，在上述源極電極與上述源極區域的接觸部分和上述漏極電極與上述漏極區域的接觸部分處，具有與上述柵極電極的硅化物薄膜相同材質的硅化物薄膜層。

8．權利要求5所述的半導體器件，其特征是：上述半導體器件，在上述源極電極與上述源極區域的接觸部分和上述漏極電極與上述漏極區域的接觸部分處，具有與上述柵極電極的硅化物薄膜相同的材質的硅化物薄膜層。

9．權利要求6所述的半導體器件，其特征是：上述半導體器件，在上述源極電極與上述源極區域的接觸部分和上述漏極電極與上述漏極區域的接觸部分處，具有與上述柵極電極的硅化物薄膜相同的材質的硅化物薄膜層。